图1.5SCR闸极激发模式-电力电子应用研究室.doc

第 一 章 電力電子元件 1.1 SCR的特性與應用 一、實習目的 ＜一＞.了解SCR之構造與特性 ＜二＞.了解SCR之di/dt與dv/dt的抑制 ＜三＞.了解SCR導通與截止 ＜四＞.SCR閘極觸發模式與保護 ＜五＞.定義導通角與激發延遲角 ＜六＞.判別SCR三端之方法 二、相關知識 一. SCR之構造與特性 SCR(Silicon Controlled Rectifier) 為矽控整流體之稱，是一種四夾層P-N半導體之元件。它能夠耐受較高之電壓及較大之湧浪電流，是一種良好的高功率元件。由於SCR發展已相當悠久，使用範圍廣、壽命長、可靠度佳、速度快及體積小、不須經常維護及消耗功率低等優點，比傳統的機械式開關優越，因此廣泛的使用於工業控制設備，此外其價格也比一般功率晶體便宜及不易燒毀等許多優點，目前仍有競爭優勢。本實驗即探討如何使SCR正常的動作及防止SCR之誤動作。 (b) (c) 圖1.1 SCR (a) 符號 (b) 內部構造 (c) 等效電路 SCR為三端元件，其構造與符號如圖1.1所示，其三端分為A(陽極)，G(閘極)，K(陰極)。它的內部架構是由四層半導體組成，A接於外上層P型半導體，K極接於外下層N型半導體，而G極則接於內層P型之半導體上，而其等效電路如圖1.1（