1-半导体二极管及其应用电路教程.ppt

广播通信：发射机、接收机、扩音、录音、程控交换机、电话、手机 网络：路由器、ATM交换机、收发器、调制解调器 工业：钢铁、石油化工、机加工、数控机床 交通：飞机、火车、轮船、汽车 军事：雷达、电子导航 航空航天：卫星定位、监测 医学：γ刀、CT、B超、微创手术 消费类电子：家电（空调、冰箱、电视、音响、摄像机、照相机、电子表）、电子玩具、各类报警器、保安系统 1947年 贝尔实验室——第一只晶体管 1958年 德州仪器公司——第一块集成电路 1969年 大规模集成电路 1975年 超大规模集成电路 自然界中的物理量有两大类：模拟量和数字量 反向击穿，反向击穿电压— 雪崩击穿—当耗尽层宽度较宽时，耗尽层的电场使少子加快漂移速度，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞击出共价键，产生电子空穴对，载流子雪崩式地倍增，致使电流急剧增加。 齐纳击穿—当耗尽层宽度很小时，不大的反向电压就可以在耗尽层形成很强的电场，而直接破坏共价键，使价电子脱离共价键束缚，产生电子空穴对，致使电流急剧增加。 4. PN结的电容效应 Cj=Cb+Cd 势垒电容Cb—空间电荷区的宽度和空间电荷的数量随外加电压而变化，如同电容的充放电过程。 外加反向电压时，势垒电容占主导。 4. PN结的电容效应 Cj=Cb+Cd 扩散电容Cd—PN结在正偏时，在外电场的作用