《数字集成电路基础》13 TTL.ppt

第二章 双极型逻辑门电路 双极型逻辑门电路 2-1 晶体管的开关作用 在放大电路中，晶体管作为放大元件；但在逻辑IC中，晶体管是作为开关元件的。 一、晶体管的开关作用（以共射极电路为例） 当VI为VBB的正脉冲信号时 当VI为负脉冲或零时 晶体管导通后，工作在 饱和区的称为饱和开关; 工作在非饱和区的称为 非饱和开关. 二、晶体管的工作状态 晶体管的工作状态完全由直流偏置情况决定，如图可分为三个区。当晶体管处于反向运用状态时，也同样存在以上三个区，但截止区和饱和区是一样的。只讨论反向放大区即可。 各工作区中结的偏置情况和电流关系 2-2 TTL门电路的工作原理和基本参数 一、简易TTL门的工作原理 约定（记住）： 二、电压传输特性 表示输出电压Vo和输入电压Vi之间的关系 当ViViL时，Vo＝VOH 关态 当ViViH时，Vo＝VOL 开态 当ViLViViH时，输出不稳定 VL 逻辑摆幅 VW 过渡区宽度 三、TTL门电路的主要参数 除了上面介绍的VOH、VOL、ViL、ViH外，主要还有IiL、IiH、VN、NO、PC及tpd 1、IiL－－输入短路电流 IiH－－输入漏电流（又称为高电平输入电流） IiH由三个部分组成 Ipn IcL Icv 2、噪容：VN，表示抗干扰能力 VN＝min｛VNML，VNMH｝ VNML：电路输入为低电平时，干扰信号的最大幅度 VNMH：电路输出为低电平时，输入端干扰信号的最大幅度 电位平移 3、扇出系数NO：表示电路的负载能力，即推动同类门的能力： NO=min｛NOL,NOH｝ NOH：关态时的扇出系数 这时输出为高电平，带多了高电平会不合格 VOH=VCC － IOHR2 =VCC－NOHIIHR2 NOH= (VCC －VOH)/IIHR2 IIH较小， NOH一般可以 达几十。 NOL：开态时的扇出系数,受VOL的限制VOL=VCES2=VCES20+IC2RCS2VCES20=0.1-0.3V,可忽略 VOL=IC2RCS2IC2＝IR2+NOLIIL改善途径： 4、静态功耗：反映了电路自身消耗的电功率。由于VCC一般是固定的，所以可以用电源电流来表征功耗的大小 空载导通电源电流ICCL： 空载截止电源电流ICCH： 平均静态功耗 Pc： 5、瞬态特性 延迟时间td：Vi开始上跳到Vo开始下降的时间，即 td＝t1－t0，即T2开始导通所需的时间。 下降时间tf： VO从高电平下降到低电平所需要的时间。即T2从开始导通到达到饱和所需的时间。 tf＝t2－t1 存贮时间ts： VI下跳到VO开始上升所需的时间：ts=t4-t3 上升时间tr： VO从低电平上升到高电平所需的时间：tr=t5-t4 平均传输延迟时间tpd 导通延迟时间tpHL：Vi上升沿的中点到VO下降沿的中点 截止延迟时间tpLH：Vi下降沿中点到VO上升沿中点 * ｛ TTL (Transistor-Transistor Logic) ECL(Emmitor Coupled Logic) I2L (Integred-Injection Logic) Vcc,VBB为集电极和发射极的反向偏置电压。 RL：负载电阻 IC=ICE≈0 IC=βIb IC＝βRIb IC＝βIb 电流关系 VBC0（反偏） VBC=0（正偏） VBC0(正偏） VBC=0(反偏） 集电结偏置 VBE0(反偏) VBE0（正偏） VBE=0(反偏） VBE0（正偏） 发射结偏置 截止区 饱和区 反向放大区 正向放大区 工作区 饱和区： ViVBB时，IC随着IB的增大而上升，VCE随着IC的增大而下降。 当VCE=VCC-IC·RL=VBE时，进入临界饱和状态： 截止区：IB＝IEBO＋ICBO 多发射结晶体管： 1、“关态”： 2、“开态”： *