PECVD培训1预案.pptx

centrotherm 毛振乐 2011.3.31 2 目录 基本原理简介 工艺流程 设备结构简介 工艺参数优化方向 3 工作原理 Centrotherm PECVD 系统是一组利用平行板镀膜舟和低频等离子激发器的系列发生器。在低压和升温的情况下，等离子发生器直接在装在镀膜板中间的介质中间发生反应。所用的活性气体为硅烷SiH4和氨气NH3。可以改变硅烷对氨的比率，来得到不同的折射率。在沉积工艺中，伴有大量的氢原子和氢离子的产生，使得硅片的氢钝化性十分良好。 基本原理 4 基本原理 ~ + _ 5 工作原理 3SiH4+4NH3 → Si3N4+12H2↑ 利用低温等离子体作能量源，硅片置于低气压下辉光放电的电极上，利用辉光放电使硅片升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在硅片表面形成固态薄膜。PECVD方法区别于其它CVD方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的激活能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性很高的各种化学基团，因而显著降低CVD薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的CVD过程得以在低温下实现。： 基本原理 6 1. processing started