采用射频磁控溅射法在Si111衬底上生长βGa2O3薄膜.pdf

堂苎地等：采用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上生长p—Ga203薄膜 采用射频磁控溅射法在Si(I I I)衬底上生长D．Ga203薄膜 肖洪地，马洪磊，杨光，马瑾，林兆军，宗福建，张锡健，栾彩娜 (山东大学物理与微电子学院，山东济南，250100) 摘要：采用射频磁控溅射法在si(111)衬底上直接 沉积日一Ga203薄膜。通过x射线衍射光谱(XRD)，原 子力显微镜(AFM)和傅立叶红外吸收光谱(FTdR) 研究了13-Ga203薄膜的生长和结构与退火温度之间的关 系。实验结果表明，直接沉积后的p、Ga203薄膜为非晶 态；当退火温度超过90012时，薄膜转变为多晶态，且 晶粒随温度的增加而增大；与体材料的B．Ga203的声子 频率相比，B-Ga203薄膜的红外吸收峰出现明显蓝移。 关键词： 射频磁控溅射；B．Ga203：温度：薄膜 中图分类号：TN304．2+3 文献标识码：A 文章编号： 1001．973l(2006)增刊．0001．03 1 引 言 Ga203包括六方晶型(a—Ga203)，单斜晶型 (D·Ga203)，四方晶型(T-Ga203)等5种结构【I】，其 中D．Ga：O，足一种宽带隙且具有良好的化学和热稳定性 的化合物。由于B．Ga203的光学带隙处于4．2～4．9eV[“1， 导电性可从绝缘体到导体连续变化【，】，因此其可应用于 高温化学气体传感器161，紫外透明导体[71，太阳能电池 181等方面。 在薄膜电致发光平板显示领域中，氧基荧光材料 因为它们的宽带隙(E4 eV)和不易结晶的性质，曾 并不被人们所看好。然而，随着一些关键技术的解决， D．Ga：03作为一种新型的氧基电致发光荧光体基材料 19．I”，已经受到越来越多的关注。p-Ga203薄膜的制备方 法很多，较为常用的有射频磁控溅射法fl”、溶胶一凝胶 法【”1、化学气相沉积法t”】、激光脉冲沉积法【?、分子 束外延¨51等方法。人们常用A120，’3·1”、GaAs[“、CoGa (100)㈣、GaNI”1、Ni(100)1191、Si(100)1211等材 料作为生长B．Ga：O，薄膜的衬底材料，但很少有采用射 频磁控溅射法在si衬底上沉积13-Ga203薄膜。 在本文中，我们采用射频磁控溅射法在Si(111) 衬底上生长B．Ga203薄膜。用XRD、FT-IR、AFM等技 术研究了退火温度对Ga203薄膜的结构和表面性质的 影响。 2实验 采用常规射频磁控溅射仪在Si(111)衬底上淀积 Ga203薄膜。所用的射频为13．56MHz。系统的基础真 空为5×10。Pa，溅射功率为150W。以99．999％的Ga，O， 烧结成的陶瓷靶作为源材料。靶的直径为6．4em， 靶 到衬底的距离为8cm。 溅射气体使用N：，溅射气压为 1．1Pa，溅射时间为90rain。在溅射过程中没有对衬底进 行有意加热。得到的Ga203薄膜厚度约为500nm。将 Ga203薄膜在常压下开放的空气气氛中退火20 min。 用Rigaku D／Max-rn型x射线衍射仪测定Oa203 薄膜的结构性质，射线为cuKⅨ，波长为0．15405nm。 用Nanoscope ma．Multimode原子力显微镜测试了样品 的表面形貌。用Nicolet 5DX傅立叶红外吸收光谱仪在 400～4000cm。的范围内对样品的缺陷进行了研究。 3结果与讨论 图1给出了在不同退火温度下(a．未退火，b． 8000C，C．9500C，d．10000C，e．10500C，f 1 100℃)退火 时间为20min后的Ga203薄膜的XRD谱。由图la可 阻看出．未经热退火的样品未出现除si衍射峰以外的 其它衍射峰。这表明该样品为非晶态，其原因可能是由 于在溅射过程中，溅射到衬底上的粒子的能量较低，没 有过多的能量进行重捧，故形成非晶结构的薄膜【”1。由 于热退火可以使薄膜由非晶态向内能最低的晶态转变， 因此我们对样品进行了热处理。图1b是在800℃下退 火的样品的XRD谱，与图1a一样我们也没有发现其 它衍射峰。这说明该温度所提供给非晶薄膜的能量不足 以使其发生重排。当退火温度为950C时，在XRD谱 中的2口z30．0806，31．700。，64．560。等处出现较弱 的衍射峰(图lc)。随着退火温度进一步增加．相同位 置衍射峰的强度相应增加(图1d～f)。这表明热退火温 度越高越有利于样品的晶化。与标准衍射卡(JCPDS， Card No．11．370)相比较．可确定这三个衍射峰分别对 应于单斜晶系氧化镓(13-Ga203)的(004)、 (200)和 (12．2)方向。 收到稿件日期：2006．05—28 通讯作者：马洪磊 作者简介；肖洪地(i970一)，男．工学博士，现在山东大学