薄膜复习题稿.pptx

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金刚石的优异特性 表3-1,与SiC、GaAs和Si的比较 特别注意:热膨胀系数、带隙、空穴迁移率、电阻率、热导率、硬度 表3-2、3-3、3-4、3-5,金刚石的主要力学、电学、热学和光学性能 碳基薄膜材料 Diamond-like carbon, DLC 类金刚石膜 晶体硅——非晶硅 金刚石——DLC(含有金刚石结构的非晶碳膜) 在某些要求沉积温度低、膜面光洁度高的场合,只有DLC胜任 五员环(P)和六员环(H)?的环数比 /home.php?mod=spaceuid=526286do=blogid=424490 研炭翁说碳(九) 碳还会带来新的惊喜吗? DLC基本性质 Ta(四面体) 低迁移率半导体,带隙可变(1-4eV) 具有室温下的光荧光效应和低电子亲和势 良好的抗磨、热导、红外透过和高硬度 低摩擦系数 性质主要由sp3:sp2决定 DLC的制备 比金刚石容易制备,衬底温度不高 无氢非晶碳膜(a-C film):一般CVD制备 Ta-C film或非晶金刚石薄膜:一般PVD制备 DLC的电导 金刚石(宽禁带、绝缘)和石墨(零禁带、导电)的混合 sp3、sp2的混合 原子结构是σ和π键的混合 与温度的关系 低温:Mott的变程跳跃电导理论 室温:带尾定域态 高温:扩展态 沉积参数对DLC电导的影响 衬底温度越高,电导率上升 导电机制的主要因素应取决于sp2与sp3键的比例,这一比例超过某一阈值,电导率由费米能级附近的变程跳跃机制决定( π键),低于这一阈值时,则由σ键决定,则类似近程跳跃电导机制。 电子在两态间跳跃的距离变化,对电导影响巨大。 沉积气压高,电导率下降 衬底偏压高,电导率上升 DLC的光学特性 光学性质对沉积方法及工艺参数比较敏感 吸收系数 光学带隙 偏压,气压——sp2与sp3键的比值 退火的影响:随衬底温度的升高,吸收系数增大 DLC的力学特性 内应力——爆裂、脱落 特别在金属基底的附着力不佳 DLC其它性能 介电 场发射 润湿性 热稳定性:Si的加入可提高 摩擦性能 折射率 DLC的应用 c-BN的特性与应用 热导率、硬度仅次于金刚石 热稳定性优于金刚石 对于铁族金属具有极为稳定的化学性能,比金刚石更优于用于钢铁材料加工 很宽的波长范围内,具有良好的透光性 通过掺杂,可获得p、n半导体,可应用于电子器件 c-BN的制备 PVD: 溅射,靶材h-BN, B,气氛Ar, N2或混合 离子镀 PLD CVD 分解含N、B的化合物 质量检测 FTIR XPS 确定立方相的比值 背景 CNTs薄膜 半导体材料的分类 元素半导体:常见的有硅、锗等。 化合物半导体:部分Ⅲ—Ⅴ族元素和Ⅱ—Ⅵ族元素形成的化合物具有半导体的特性,且被广泛应用。如: Ⅲ—Ⅴ族化合物:GaAs、InP等。 Ⅱ—VI族化合物:CdTe、CdS等。 有机半导体——现已发现部分有机化合物也具有半导体的特性。如:萘、蒽、聚丙烯晴、酞青以及一些芳香类化合物等。 无定形半导体:无定形硅(a-Si)和微晶半导体即属此类,其应用价值正在开发之中。 从应用角度角度,非晶半导体薄膜材料具有以下特点 可在任意衬底上形成薄膜材料 容易实现大面积化,且不受形状的限制 制备工艺简单,造价低廉 有优异的光学和电学性能,尤其是光吸收系数比较大 非晶硅 非晶硅a-Si:H 非晶硅基合金薄膜材料:a-SiC:H, a-SiN:H等 与晶体材料的差异: 无长程有序,保持短程有序,不仅有导带、禁带和价带还有导带尾态、价带尾态和带中缺陷,且这些态是定域化的。增加了跳跃导电机制,迁移率小,室温电阻率高。 可部分实现连续的物性控制 热力学亚稳态 性质依赖于制备条件和方法,重复性比晶态差 各向同性 非晶半导体制备方法 非晶形成能力大的(硫系),熔体快速冷却(103-104 ℃/s ) 非晶形成能力低的,需要更高的冷却速度(大于105 ℃/s ),采用真空蒸发、辉光放电和溅射,**CVD 辉光放电等离子CVD 非晶半导体能带模型 Mott-CFO模型:基于紧束缚,固态中电子的状态主要决定于该电子所属的原子及其最近邻原子。非晶态与晶态应该有类似的能带结构。原子最近邻位置上的微小变化,以及次近邻和更远近邻位置上的变化,可看成是对能带中电子密度的一种微扰。 短程有序——基本能带 长程无序——定域态带尾 悬挂键——带隙中间形成隙态 晶体: 直接跃迁、间接跃迁 满足能量守恒和动量守恒 间接跃迁时需要声子的参与 光学性质 非晶: 电子跨越禁带时的跃迁没有直接跃迁和间接跃迁的区别 不再遵守动量守恒的选择定则 非晶结构上的无序使得非晶的电子没

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