- 1、本文档共44页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
金刚石的优异特性
表3-1,与SiC、GaAs和Si的比较
特别注意:热膨胀系数、带隙、空穴迁移率、电阻率、热导率、硬度
表3-2、3-3、3-4、3-5,金刚石的主要力学、电学、热学和光学性能
碳基薄膜材料
Diamond-like carbon, DLC
类金刚石膜
晶体硅——非晶硅
金刚石——DLC(含有金刚石结构的非晶碳膜)
在某些要求沉积温度低、膜面光洁度高的场合,只有DLC胜任
五员环(P)和六员环(H)?的环数比
/home.php?mod=spaceuid=526286do=blogid=424490
研炭翁说碳(九) 碳还会带来新的惊喜吗?
DLC基本性质
Ta(四面体)
低迁移率半导体,带隙可变(1-4eV)
具有室温下的光荧光效应和低电子亲和势
良好的抗磨、热导、红外透过和高硬度
低摩擦系数
性质主要由sp3:sp2决定
DLC的制备
比金刚石容易制备,衬底温度不高
无氢非晶碳膜(a-C film):一般CVD制备
Ta-C film或非晶金刚石薄膜:一般PVD制备
DLC的电导
金刚石(宽禁带、绝缘)和石墨(零禁带、导电)的混合
sp3、sp2的混合
原子结构是σ和π键的混合
与温度的关系
低温:Mott的变程跳跃电导理论
室温:带尾定域态
高温:扩展态
沉积参数对DLC电导的影响
衬底温度越高,电导率上升
导电机制的主要因素应取决于sp2与sp3键的比例,这一比例超过某一阈值,电导率由费米能级附近的变程跳跃机制决定( π键),低于这一阈值时,则由σ键决定,则类似近程跳跃电导机制。
电子在两态间跳跃的距离变化,对电导影响巨大。
沉积气压高,电导率下降
衬底偏压高,电导率上升
DLC的光学特性
光学性质对沉积方法及工艺参数比较敏感
吸收系数
光学带隙
偏压,气压——sp2与sp3键的比值
退火的影响:随衬底温度的升高,吸收系数增大
DLC的力学特性
内应力——爆裂、脱落
特别在金属基底的附着力不佳
DLC其它性能
介电
场发射
润湿性
热稳定性:Si的加入可提高
摩擦性能
折射率
DLC的应用
c-BN的特性与应用
热导率、硬度仅次于金刚石
热稳定性优于金刚石
对于铁族金属具有极为稳定的化学性能,比金刚石更优于用于钢铁材料加工
很宽的波长范围内,具有良好的透光性
通过掺杂,可获得p、n半导体,可应用于电子器件
c-BN的制备
PVD:
溅射,靶材h-BN, B,气氛Ar, N2或混合
离子镀
PLD
CVD
分解含N、B的化合物
质量检测
FTIR
XPS
确定立方相的比值
背景
CNTs薄膜
半导体材料的分类
元素半导体:常见的有硅、锗等。
化合物半导体:部分Ⅲ—Ⅴ族元素和Ⅱ—Ⅵ族元素形成的化合物具有半导体的特性,且被广泛应用。如:
Ⅲ—Ⅴ族化合物:GaAs、InP等。
Ⅱ—VI族化合物:CdTe、CdS等。
有机半导体——现已发现部分有机化合物也具有半导体的特性。如:萘、蒽、聚丙烯晴、酞青以及一些芳香类化合物等。
无定形半导体:无定形硅(a-Si)和微晶半导体即属此类,其应用价值正在开发之中。
从应用角度角度,非晶半导体薄膜材料具有以下特点
可在任意衬底上形成薄膜材料
容易实现大面积化,且不受形状的限制
制备工艺简单,造价低廉
有优异的光学和电学性能,尤其是光吸收系数比较大
非晶硅
非晶硅a-Si:H
非晶硅基合金薄膜材料:a-SiC:H, a-SiN:H等
与晶体材料的差异:
无长程有序,保持短程有序,不仅有导带、禁带和价带还有导带尾态、价带尾态和带中缺陷,且这些态是定域化的。增加了跳跃导电机制,迁移率小,室温电阻率高。
可部分实现连续的物性控制
热力学亚稳态
性质依赖于制备条件和方法,重复性比晶态差
各向同性
非晶半导体制备方法
非晶形成能力大的(硫系),熔体快速冷却(103-104 ℃/s )
非晶形成能力低的,需要更高的冷却速度(大于105 ℃/s ),采用真空蒸发、辉光放电和溅射,**CVD
辉光放电等离子CVD
非晶半导体能带模型
Mott-CFO模型:基于紧束缚,固态中电子的状态主要决定于该电子所属的原子及其最近邻原子。非晶态与晶态应该有类似的能带结构。原子最近邻位置上的微小变化,以及次近邻和更远近邻位置上的变化,可看成是对能带中电子密度的一种微扰。
短程有序——基本能带
长程无序——定域态带尾
悬挂键——带隙中间形成隙态
晶体:
直接跃迁、间接跃迁
满足能量守恒和动量守恒
间接跃迁时需要声子的参与
光学性质
非晶:
电子跨越禁带时的跃迁没有直接跃迁和间接跃迁的区别
不再遵守动量守恒的选择定则
非晶结构上的无序使得非晶的电子没
文档评论(0)