CuO掺杂MnFeNiCoO4基负温度系数热敏陶瓷题稿.pptx

CuO掺杂MnFeNiCoO4基负温度系数热敏陶瓷 目录 文献综述 1 实验过程 2 结果与讨论 3 思考与总结 4 参考文献 5 文献调研 CDIO代表构思（Conceive）、设计（Design）、实现（Implement）和运作（Operate），它以产品研发到产品运行的生命周期为载体，让学生以主动的、实践的、课程之间有机联系的方式学习工程。CDIO培养大纲将工程毕业生的能力分为工程基础知识、个人能力、人际团队能力和工程系统能力四个层面，大纲要求以综合的培养方式使学生在这四个层面达到预定目标 CDIO简介 NTC热敏陶瓷介绍 NTC热敏电阻器是一种以过渡金属氧化物为主要原材料，采用电子陶瓷工艺制成的热敏陶瓷组件。它的电阻值随温度的升高而降低。利用这一特性既可制成测温、温度补偿和控温组件，又可以制成功率型组件，抑制电路的浪涌电流（这是由于NTC热敏电阻器有一个额定的零功率电阻值，当其串联在电源回路中时，就可以有效地抑制开机浪涌电流。并且在完成抑制浪涌电流作用以后，利用电流的持续作用，将NTC热敏电阻器的电阻值下降非常小的程度）浪涌电流指电源接通瞬间，流入电源设备的峰值电流 物性参数 电阻值 热敏常数 耗散系数 热时间常数 电阻温度系数 额定功率Pn 最高工作温度Tmax 电阻温度特性 ntc陶瓷的相应制工数据为: 热敏常数B值的计算 材料常数（热敏指数） B 值（ K ） B 值被定义为：电阻在两个温度之间变化的函数， 公式： RT1 ：温度 T1 （ K ）时的零功率电阻值。?RT2 ：温度 T2 （ K ）时的零功率电阻值。?T1， T2 ：两个被指定的温度（ K ）。 对于常用的 NTC 热敏电阻， B 值范围一般在 2000K ～ 6000K 之间。 结构类型 NTC陶瓷大多是具有尖晶石结构的过渡金属氧化物固溶体。但是只有包含反尖晶石结构或半反尖晶石结构的半导体电子陶瓷才具备NTC特性 尖晶石结构的化学通式为AB2O4 , 式中 A 为Mg2 + ,Mn2 + , Ni2 + , Zn2 + , Fe2 + , Co2 + 等 B 为Al3 + , Cr3 + , Fe3 + , Ga3 + , In3 + , V3 + 等。 反尖晶石结构：四面体间隙被B离子全部占据，八面体间隙被A、B离子各占据一半一般的尖晶石称作反尖晶石。 导电原理 NTC的导电既不是电子在导带中运动的结果,同时也不是空穴在价带中迁移所造成的,而是电子在能级之间直接、转移、跃迁的结果,是电子从某一个原子跃迁到另一个相邻原子位置上的过程,电子的跃迁过程就是阳离子的变价过程。这一导电模式是尖晶石结构的NTC热敏电阻材料导电机理。 实现电子交换方式所具备的必要条件为： （1）在尖晶石型氧化物中必须有可以变价的异价阳离子，以产生电子交换 （2）两种异价离子必须同处于B位置中 二. 实 验 称量 研磨 煅烧 研磨 压片 烧结 XRD、SEM,测密度 烧电极 阻温特性测试 数据处理 计算原料配比 第一组： MnFeNi0.5Co0.5O4 第二组： MnNi0.5FeCo0.5O4 （95%）CuO(5%) 第三组： MnNiFe0.5Co0.5O4 （90%）CuO(10%) 配料表 MnO2 Fe2O3 Ni2O3 Co2O3 CuO 第一组 3.7217 3.4181 1.700 1.7752 第二组 3.655 3.357 1.678 1.743 0.178 第三组 3.591 3.296 1.655 1.726 0.356 原料称取与研磨 准备研钵、干燥灯、原料等等并按设计算好原料配比称量。 研磨 研磨要求 研钵干净、干燥 进行研磨操作时,研钵应放在 不易滑动的物体上,研杵应保持垂直. 研磨时间40分钟。 煅烧 将原料放入SX2-2.5-12箱式电阻炉， 在室温15℃下经过220分钟升温达950℃后保温360分钟，自然冷却到仪器表显示-121。将所得产物研磨30min。 压片成型 取出预烧粉末研磨0.5h.量取约4克加5滴胶水，搅拌造粒，用压片机压5片。（7MPa） 烧结 开始室温1.5℃，每分钟升高1℃加热到280℃保温1h，再每分钟升温2℃到850℃保温1h接着每分钟升温3℃到1250℃，自然降温。 烧电极 在抛光的陶瓷样品的上下表面涂上银浆，在钨丝灯下进行银浆干燥，随后放入马弗炉中烧电极。 开始室温加热150min到300℃保温半小时，再加热200min到850℃保温40 min,自然冷却到-121 阻温特性测试 在烧结好的陶瓷样品两面焊接上电线，在10°C、30°C、75°C温度下测试其电阻值。 三、结果与讨论3.1XRD,测密度, SEM 打磨；量直径，厚度，质量，计算密度 取三个样品 研磨；做XRD