YSZ晶界结构对离子导电的影响及电导率测量题稿.pptx

YSZ晶界结构对离子电导的影响及电导率测量 第十五组 组员：张伟博 许六军 高楠 刘杰 邢媛媛 李善明 杨莉莉 YSZ晶界结构对离子电导的影响 背景介绍 电导率的测量 总结 SOFC的工作原理 固体氧化物燃料电池电化学反应过程示意图 固体氧化物燃料电池工作原理图 优点： 避免了液态电解质所带来的腐蚀和电解质流失等问题； 电极反应过程迅速； 无需采用贵金属电极可降低成本； 能量的综合利用效率提高； SOFC可以直接使用任何可燃物质作为燃料。 钇稳定的氧化锆 ·纯氧化锆的结构：单斜，四方，立方 ·立方氧化锆具有萤石型结构 ·掺杂氧化钇，可以使氧化锆在室温下保持萤石结构 氧化锆 YSZ中氧空位的形成： 钇稳定的氧化锆 YSZ高温环境下具有高的离子电导性和高稳定性，成为广泛应用于固体氧化物燃料电池的电解质材料。 导电机理 当掺杂含量增加时,YSZ的离子电导率先增大后减小 掺杂含量为9mol%, YSZ具有最高的离子电导率 电导率与掺杂浓度和温度的关系 YSZ的电导率随温度的变化满足： 温度升高,电导率升高。 YSZ晶界对离子电导的影响 (c) Profile of isotope fractionc*(x) obtained from the secondary ion images 其中C*(x)代表x位置处18O的绝对浓度，C*g为环境气氛中18O浓度，C*bg为材料中原本18O的背景浓度。 其中h=k*/D* DbulkD* 电导率的影响因素 界面第二相是界面电导率差的主要因素。如在1500℃以上的温度范围内烧结YSZ时，掺杂元素比较容易向原子排列不规则的晶界附近偏聚，这样，偏聚的掺杂元素较多，容易形成晶界第二相，且随温度升高，偏聚增加。这种晶界第二相的产生是YSZ晶界导电性差的主要原因。  晶界的结构描述 重位点阵模型 ∑（错配度）：重位点阵单胞体积与原点阵单胞体积之比 YSZ晶界对离子电导的研究 激活能随着错配度的增加，先增加后减少；当错配度∑为3和43时，比单晶的激活能都低，对离子电导率起到促进作用。 （111）扭转晶界的导电性能 （110）扭转晶界的导电性能 激活能随着错配度的增加，先减小后增加；当错配度∑为11和19时，比单晶的激活能都低，对离子电导率起到促进作用。 随着∑值的增加，{111}扭转晶界的激活能先增大后减小，{110}扭转晶界的激活能先减小后增加。这可能与晶界附近原子排列的混乱程度、掺杂元素的偏聚程度和团簇在界面上的分布情况有关。 错配度增加： 有利：原子在晶界处排列混乱，有利于氧空位的迁移； 不利：晶界处缺陷和团簇容易偏聚，阻碍氧空位的扩散。 缺陷和团簇在晶界附近的形成和分布规律 在YSZ中，Vo”和Yzr’容易在晶界附近偏聚，这种偏聚和团簇的分布会对YSZ的晶界上氧空位的迁移产生影响，进而导致晶界导电性之间的差异。 氧空位的形成能 钇离子的形成能 （1）钇离子形成能比氧空位大 （2）形成能变化幅度小，与位置关联小 孤立缺陷的偏聚能 （1）偏聚发生在距离晶界中心0.5nm范围内，氧空位更容易发生偏聚。 （2）超出此范围，缺陷在0eV左右。 带电团簇在晶界附近的分布情况 晶界中心形成的团簇具有较小的形成能，随远离晶界中心形成能逐渐增加  在晶界上，由于Yzr’和Vo”含量较多，团簇在界面上更容易结合，同时也更容易在晶界上偏聚。 小结： 影响晶界离子导电的主要因素有三个：错配度、掺杂偏聚和团簇聚集。错配度增加有利于氧空位的扩散，掺杂元素在晶界处的偏聚和团簇在晶界附近聚集对氧空位的扩散起阻碍作用，并且三个因素起竞争作用。 通过掺杂、温度的变化可有效提高电导率。 交流阻抗谱法(EIS)测量电导率 定义 交流阻抗谱，也称频响分析法，是研究地球物质电学性质的一种电化学分析方法。经过几十年的发展,交流阻抗谱已经在材料研究、表面处理、器件研究、生命科学和地球科学的研究中得到不同程度的应用。 原理 阻抗谱是一种测量材料及其界面电性能的方法．它是通过向被测量体系施加高频小幅交流信号，在较宽的频率范围内测量其反应而得到体系的阻抗与频率的关系—阻抗谱图。对阻抗谱图进行解析，可以得到体系的性质和动力学参数。 交流阻抗谱法的优缺点 优点 1.体系干扰小 2.提供多角度的界面状态与过程信息 3.数据分析过程相对简单可靠 4分析速度快、成本低、准确率好 5.使用交流阻抗法可以精确地测量电解质的电阻和电导 ，还可避免由于所加电流过大造成的电解质的分解。 缺点 复杂的阻抗谱解释 交流阻抗谱实验装置 25 该实验装置采用四电极系统测