电力电子技术-Chapter2.ppt

电 力 电 子 技 术 Power Electronics 第二章 电力电子器件及应用 第2章 电力电子器件及应用 2.1 电力电子器件的特点和分类 2.1 电力电子器件的特点和分类 2.1 电力电子器件的特点和分类 2.1 电力电子器件的特点和分类 2.1 电力电子器件的特点和分类 2.2 电力电子器件基础----PN结的形成 2.2 电力电子器件基础----PN结的形成 2.2 电力电子器件基础----PN结的形成 2.2 电力电子器件基础----PN结的形成 2.2 电力电子器件基础----PN结的形成 2.2.1 PN结原理 3．PN结的反向击穿 反向电压过大，达到反向击穿电压时，反向电流会急剧增加，破坏PN结反向偏置为截止的工作状态，称为反向击穿。 1）齐纳击穿 较低电压下发生，反向电场破坏共价键，使更多电子脱离出来，漂移运动剧烈增强，反向电流增大。可逆 2）雪崩击穿 当反向电压增大到某一数值后，运动中的载流子高速碰撞原子，激发出更多载流子，形成雪崩效应，使反向电流急剧增大。可逆 3）热击穿 过热烧毁，不可逆 2.2.1 PN结原理 4．PN结的电容效应 1) 势垒电容 空间电荷区中的正负离子，形成的电容效应。外加电压变化时起作用。 2) 扩散电容 扩散到空间电荷区两端的载流子，形成的电容效应。正向偏置电压较高时，起作用。 影响PN结的工作频率！ 2.2.1 PN结原理 5．PN结的电导调制效应 正向电流增大时，PN结的电阻率明显下降，电导率大大增加，称为电导调制效应 使PN结正向导通时，呈现低阻态 2.2.2 电力电子器件的封装 图2-2是电力电子器件几种常见的封装形式 2.3 功率二极管 功率二极管（Power Diode） 1) 不可控电力电子器件 2) 主要用于整流、逆变等领域 3) 基于导电机理和结构的不同，可分为结型二极管和肖特基势垒二极管。 4) 半导体PN结，具有单向导电性，正向偏置时表现为低阻态，形成正向电流，称为正向导通；而反向偏置时表现为高阻态，几乎没有电流流过，称为反向截止。 2.3.1 结型功率二极管基本结构和工作原理 如何提高二极管的电压和电流承受能力？ 增加低掺杂、高阻抗Nˉ区，构成PIN结构 2.3.2 结型功率二极管的基本特性 2.3.2 结型功率二极管的基本特性 2.3.2 结型功率二极管的基本特性 2.3.3 快速功率二极管 普通结型功率二极管又称整流管（Rectifier Diode），反向恢复时间在5μs以上，多用于开关频率在1kHz以下的整流电路中。若是高频电路，应采用快速功率二极管。 1．提高结型功率二极管开关速度的措施 1）扩散法：在硅材料掺入金或铂等杂质可有效提高少子复合率，促使存储在N区的过剩载流子减少，从而缩短反向恢复时间trr。 2）外延法：采用在P和N掺杂区之间夹入一层高阻N-型材料以形成PN-N结构，在P区和N区外还各有一层金属层。 采用外延及用掺铂的方法进行少子寿命控制。在相同耐压条件下，新结构硅片厚度要薄得多，具有更好的恢复特性和较低的正向导通压降，这种结构是目前快速二极管普遍采用的结构。 2.3.3 快速功率二极管 2．快速型和超快速型 1) 快恢复（FRED）型：20～50kHz 2) 超快恢复（Hiper FRED，Hiper Fast soft Recovery Epitaxial Diode）：50kHz以上的场合。 2.3.4 肖特基势垒二极管 2.3.5 功率二极管的主要参数 除了反向恢复时间trr和正向导通压降UF，选用功率二极管时，还应考虑以下几个参数： 1．额定正向平均电流IT (AV) 功率二极管长期运行在规定管壳温度和散热条件下，允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值定义为额定正向平均电流。