2-1晶体管和放大电路基本——晶体管.pptVIP

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2-1晶体管和放大电路基本——晶体管

(2) IC=ICBO 3．发射结反向偏置、集电结反向偏置——截止状态截止状态的特点 (1) 发射结反偏 (3) IB=－ICBO Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 4．发射结反向偏置、集电结正向偏置——倒置状态 (1) 集电区扩散到基区的多子较少倒置状态的特点 (2) 发射区收集基区的非平衡少数载流子的能力小 (3) 管子的电流放大系数很小 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2.1.3 晶体管共射极接法的伏安特性曲线 1．共射极输入特性共射极输入特性三极管共射极接法 uCE=0V uCE≥1V Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. (1) 输入特性是非线性的，有死区。 (2) 当uBE不变，uCE从零增大时，iB将减小。输入特性的特点 (3) 当uCE≥1V，输入特性曲线几乎重合在一起，即uCE对输入特性几乎无影响。 uCE=0V uCE≥1V Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2．共射极输出特性输出特性曲线饱和区截止区放大区 i B = 20 μ A 0 40 60 80 100 2 4 6 8 0 1 2 3 4 iC/ mA uCE/ V Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 上页下页返回模拟电子技术基础 2.1 晶体管晶体管又称半导体三极管晶体管是最重要的一种半导体器件之一，它的放大作用和开关作用，促使了电子技术的飞跃。 2 晶体管及放大电路基础 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 晶体管图片 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2.1.1 晶体管的结构 1. NPN型晶体管结构示意图和符号 (2) 根据使用的半导体材料分为: 硅管和锗管 (1) 根据结构分为: NPN型和PNP型晶体管的主要类型 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. N N P 发射区集电区基区发射极E(e) 集电极C(c) 发射结JE 集电结JC 基极B(b) NPN型晶体管结构示意图 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. NPN型晶体管符号 B (b) E(e) T C(c) N N P 发射区集电区基区发射极E(e) 集电极C(c) 发射结JE 集电结JC 基极B(b) Evaluation only. Created with Aspose.Slides