第3章 场效应管及其应用电路.ppt

3.2.3 场效应管的主要参数 几种常用场效应三极管的主要参数 双极型三极管与场效应三极管的比较 3.3 场效应管放大电路 （a）共源电路 （b）共漏电路 （c）共栅电路 3.3.1场效应管放大电路的直流偏置与静态分析 1.自偏压电路 2.分压器式自偏压电路 3.3.2 场效应管放大电路的动态分析 1.场效应管小信号模型 (a) 结型场效应管小信号模型 (b)绝缘栅型场效应管小信号模型 对于结型场效应管 当小信号作用时，可以用IDQ来近似iD，所以 图3-18场效应管高频小信号模型 2.应用小信号模型法分析场效应管放大电路 （a）电路 （b）微变等效电路 2）.共漏放大电路的动态分析 a.静态： * 三种基本放大电路的性能比较 组态对应关系： CE BJT FET CS CC CD CB CG BJT FET 电压增益： CE： CC： CB： CS： CD： CG： * 输出电阻： 三种基本放大电路的性能比较 BJT FET 输入电阻： CE： CC： CB： CS： CD： CG： CE： CC： CB： CS： CD： CG： 第三章 结束 不做教学要求内容，有兴趣者自学 * * 3.1 结型场效应管 ? 结构 ? 工作原理 ? 输出特性 ? 转移特性 ? 主要参数 N P P 两边是P区 G(栅极) S源极 D漏极 导电沟道 N P P G(栅极) S源极 D漏极 D G S D G S P N N G(栅极) S源极 D漏极 P沟道结型场效应管 D G S D G S UDS=0U时 P S D UDS UGS G N N N N ID PN结反偏，UGS越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。 P G S D UDS UGS N N ID UDS=0U时 N N UGS越大耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。 但当UGS较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。 P G S D UDS UGS N N UDS=0时 UGS达到一定值时（夹断电压UP）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS ? 0U，漏极电流ID=0A。 ID P G S D UDS UGS UGSUp且UDS0、UGDUP时耗尽区的形状 N N 越靠近漏端，PN结反压越大 ID P G S D UDS UGS UGSUp且UDS较大时UGDUP时耗尽区的形状 N N 沟道中仍是电阻特性，但是是非线性电阻。 ID G S D UDS UGS UGSUp UGD=UP时 N N 漏端的沟道被夹断，称为予夹断。 UDS增大则被夹断区向下延伸。 ID G S D UDS UGS UGSUp UGD=UP时 N N 此时，电流ID由未被夹断区域中的载流子形成，基本不随UDS的增加而增加，呈恒流特性。 ID ① UGS对沟道的控制作用 当UGS＜0时 当沟道夹断时，对应的栅源电压UGS称为夹断电压UP （ 或UGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，UP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 ? ? UGS继续减小，沟道继续变窄 ② UDS对沟道的控制作用 当UGS=0时， UDS? ? ID ? G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 当UDS增加到使UGD=UP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 此时UDS ? 夹断区延长 ? 沟道电阻? ? ID基本不变 ? ③ UGS和UDS同时作用时 当UP UGS0 时， 导电沟道更容易夹断， 对于同样的UDS ， ID的值比UGS=0时的值要小。 在预夹断处 UGD=UGS-UDS =UP UGS 0 ID IDSS UP 饱和漏极电流 夹断电压 予夹断曲线 ID U DS 2V UGS=0V 1V 3V 4V 5V 可变电阻区 夹断区 恒流区 输出特性曲线 0 转移特性曲线 输出特性曲线 ① 夹断电压UP (或UGS(off))： ② 饱和漏极电流IDSS： ③ 低频跨导gm： 或 漏极电流约为零时的UGS值 。 UGS=0时对应的漏极电流。 低频跨导反映了UGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。 ④ 输出电阻rd： 绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。 3.2 绝缘栅场效应管 3.2.1 结构和电路符号 P N N G S D P型基