曾聪杰-集成电路工艺精选.doc

集成电路工艺制造 模拟实验 姓 名： 曾聪杰 学 号： 111300203 年 级： 2013 指导老师： 魏榕山 2016年5月1日 工艺模拟实验一 氧化工艺模拟 一．实验原理 在本系统中预先采用SUPREM-III进行氧化工艺模拟，将晶向、氧化温度、氧化时间、氧化厚度等多组数据，一一对应地存储于Foxpro数据库表中，用ODBC技术实现Authorware和Foxpro数据库开放式连接。实验中通过相关查询，在Authorware内部再利用插值方式，对操作者给出的晶向、氧化温度、氧化时间等进行简单计算后，给出模拟结果。考虑到系统应用于教学而非工程计算，因此采用了数据库查询加差值数据拟合而非实时计算完成模拟，避免了长时间的工程计算。 二．实验目的 系统提供了实际氧化炉设备操作面板，在计算机上完成氧化工艺控制程序的编辑以及氧化炉的操作，并得到相应操作的模拟结果。从而对氧化工艺操作过程有简单直观的了解。 实验内容 分别在干氧、湿氧两种条件下固定温度，三次改变时间和固定时间、三次改变温度各重复进行氧化工艺模拟，并记录12组原始数据：条件和氧化层厚度，分析模拟实验结果。 湿氧条件下： 干氧条件下： 分析：在同样的晶向下，上图显示了晶片在干氧、湿氧两种条件下改变温度和时间得到的不同氧化深度。 在湿氧条件下，保持氧化温度不变，改变氧化时间的长度，可以发现，晶片的氧化厚度随着时间的增加而增加。 在湿氧条件下，保持氧化时间不变，改变氧化温度的大小，发现，晶片的氧化厚度也随着温度的增加而增加。 在干氧条件下，保持氧化温度不变，改变氧化时间的长度，可以发现氧化厚度虽然也随着时间的变长而变厚，但变化程度不大，其相对于湿氧条件下，厚度的增加不明显。 在干氧条件下，保持氧化时间不变，改变氧化温度的大小，发现温度的变化使得氧化深度的大小变化很大。 因此，氧化深度的影响因素主要有温度，时间，和氧气的环境（即干湿氧）。其中在相同条件，湿氧的环境下对氧化厚度的影响更大。 2、找3组课外作业的计算结果与模拟结果进行分析比较，解释出现偏差的各种原因。 硅片热氧化生长遵从如下公式：t2ox＋Atox＝B(t?+?τ)，其中tox为硅片经过t时间后SiO2的生长厚度(μm)；B为抛物线速率系数(μm2/h)；B/A为线性速率系数(μm/h)；τ为生成初始氧化层（同一工艺参数）所用的时间(h)。假设：950℃下水汽氧化相关工艺参数分别为：A=0.50μm，B=0.20μm2/h； 1100℃下干氧氧化相关工艺参数分别为：A=0.09μm，B=0.03μm2/h h内干氧在1100℃生成的SiO2厚度（μm）： ∵t2ox?+?Atox＝B(t?+?τ)，又∵初始氧化层厚度为0； ∴τ1＝(?t2ox?+?Atox?)?/?B?=?0?h? ∵t2ox＋Atox＝B(t?+τ1)，又∵t1=1?h ∴?t2ox＋0.09tox＝0.03×(1?+0)；即tox＝0.1339?μm （2）2?h内湿氧水汽氧化所生成的SiO2厚度（μm） ∵t2ox＋Atox＝B(t2+τ2)，又∵t=1?h； ∴t2ox＋0.5tox＝0.2×(1?+0.25)；即?tox＝0.3659μm； 3、分析出现偏差的原因 生长的快慢将由氧化剂在SiO2种的扩散速度以及与Si反应速度中较慢的一个因素所决定，因此出现偏差的原因有可能是未考虑氧化剂的扩散速度，或者还有其他因素未考虑。 4、分析氧化工艺中的工艺参数对氧化结果的影响 、湿氧氧化速率比干氧氧化速率快得多。虽然干氧方法的生长速度很慢，但生长的SiO2薄膜结构致密，干燥，均匀性和重复性好，且由于SiO2表面与光刻胶接触良好，光刻时不易浮胶。而湿氧氧化速率虽然快，但在氧化后的Si片表面存在较多的位错和腐蚀坑，而且还存在着一层使O2表面与光刻胶接触差的硅烷醇（Si—OH)，因此在生产实践中，普遍采用干氧→湿氧→干氧交替的氧化方式。这种干、湿氧的交替氧化方式解决了生长速率和质量之间的矛盾，使生长的iO2薄膜更好地满足实际生产的要求。 温度的影响：在一定条件下，温度越高，氧化厚度越大。 时间的影响：在一定条件下，随着时间的增长，氧化厚度越大。 实验二：扩散工艺模拟实验 一．实验原理 在本系统中预先采用SUPREM-III进行扩散工艺模拟，将晶向、扩散温度、扩散时间、扩散结