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“微电子学概论”—ch4集成电路制造工艺CMOS工艺
上一次课的主要内容 从原始硅片到封装测试前的关键工艺 图形转换：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上。 工艺：光刻、刻蚀 掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等 工艺：扩散，离子注入 ，退火 薄膜制备：制作各种材料的薄膜 工艺：氧化，化学气相淀积，物理气相淀积 工艺集成 工艺集成：组合工艺，制备不同类型的集成电路 栅电极： 重掺杂的多晶硅 隔离工艺 MOS晶体管结构: 自隔离性 相邻MOS管之间区域（氧化层）上有导线经过时，寄生MOS管可能开启，相邻晶体管之间的隔离被破坏 MOS集成电路隔离：如何防止寄生晶体管开启 增大场氧化层厚度 提高场氧下面硅层的表面掺杂浓度，提高阀值 LOCOS隔离 连线 接触孔 金属连线 形成穿通接触孔 化学气相淀积磷硅玻璃 通过化学机械抛光进行平坦化 光刻穿通接触孔版 反应离子刻蚀磷硅玻璃，形成穿通接触孔 形成第二层金属 淀积金属层，如Al-Si、Al-Si-Cu合金等 光刻第二层金属版，定义出连线图形 反应离子刻蚀，形成第二层金属互连图形 形成钝化层 在低温条件下(小于300℃)淀积氮化硅(PECVD) 光刻钝化版 刻蚀氮化硅，形成钝化图形，刻出压焊点 测试、封装，完成集成电路的制造工艺 N衬底 P阱 P+ P+ P+ N+ N+ Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. N衬底 P阱 P+ P+ P+ N+ N+ 形成自对准多晶硅/硅化物（salicide）：降低寄生电阻 低温淀积氧化层 反应离子刻蚀氧化层，形成侧壁氧化层 淀积难熔金属Ti或Co等 低温退火，形成难溶金属硅化物TiSi2或CoSi 去掉氧化层上的没有发生化学反应的Ti或Co 高温退火，形成低阻稳定的TiSi2或CoSi2 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. N衬底 P阱 P+ P+ P+ N+ N+ 形成自对准多晶硅/硅化物（salicide）：降低寄生电阻 低温淀积氧化层 反应离子刻蚀氧化层，形成侧壁氧化层 淀积难熔金属Ti或Co等 低温退火，形成难溶金属硅化物TiSi2或CoSi 去掉氧化层上的没有发生化学反应的Ti或Co 高温退火，形成低阻稳定的TiSi2或CoSi2 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. NMOS结构 PMOS结构 N型(100)衬底的原始硅片 P阱(well) 隔离 阈值调整注入 栅氧化层和多晶硅栅 NMOS管源漏注入 PMOS管源漏注入 连线 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. P N+ N+ Al Al Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. N衬底 P阱 P+ P+ P+ N+ N+ 形成接触孔（为了实现层间互连） 淀积氧化层（层间绝缘） 退火和致密 反应离子刻蚀氧化层，形成接触孔 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. N衬底 P阱 P+ P+ P+ N+ N+ Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. N衬底 P阱 P+ P+ P+ N+ N+ 金属
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