半导体镀膜工艺题稿.ppt

4.有机金属化学沉积MOCVD MOCVD是常规CVD技术的发展。它与常规CVD的区别仅在于使用有机金属化合物和氢化物作为原料气体。 应用：制备各种各样的材料（单晶外延膜、多晶膜和非晶态膜。但最重要的应用是Ⅲ～Ⅴ族及Ⅱ～Ⅵ族半导体化合物材料） 特点：MOCVD的主要特点是沉积温度低，所以也称中温CVD，其缺点是沉积速率低、膜中杂质多 MOCVD装置 5.原子层沉积ALD 通过工艺循环，分步向真空腔体添加反应气体，逐步反应实现对膜厚度及纯度的精确控制。 应用：TSV种子层的制作、MEMS、器件钝化…… 特点：纯度极高、接近100%阶梯覆盖率、均匀性强 三甲基铝化学吸附 吹扫循环 水化学吸附 吹扫循环 ALD沉积氧化铝 热氧化 在腔体中通入氧气或者水蒸汽，高温使被氧化化材料镀一层氧化物薄膜。 常用在晶元沉积氧化硅膜 热氧化装置 电镀 电镀是将镀件（制品），浸于含有欲镀上金属离子的药水中并接通阴极，药水的另一端放置适当阳极（可溶性或不可溶性），通以直流电后，镀件的表面即析出一层金属薄膜的方法。 例如：TSV通孔种子层上镀铜 简示电镀 END * * * * * * * 镀膜工艺 北京亚科晨旭科技有限公司 2015年12月 基本概念 真空 等离子体 真空 1.真空的定义 真空的含义是指在给定的空间内低于一个大气压力的气体状态，是一种物理现象。 2.真空的计量单位 真空度的高低可以用多个参量来度量，最常用的有“真空度”和 “压强” 单位 Pa 1Pa=1N/㎡=7.5*10-3Torr 1mmHg=1Torr=133Pa 1Bar=1Kg /c㎡=1000mBar 1Bar=1大气压=0.1MPa 1mBar=100Pa 3.真空区域的划分 标准大气压为：1.013×10^5Pa（帕斯卡），等于760mmhg（毫米 汞（水银）柱 低真空 105Pa ~102Pa 中真空 102Pa ~10-1Pa 高真空 10-1Pa ~10-5Pa 超高真空 10-5Pa 4.如何产生真空 “抽” 各种泵的理论能力 极限真空度 油封机械泵 10-1Pa 扩散泵 10-2Pa 吸附泵 10-1Pa 溅射离子泵 10-3Pa 低温冷凝泵 10-9Pa 涡轮分子泵 10-8Pa 复合涡轮泵 10-8Pa 干式机械泵 10-1Pa 5.使用真空的目的 物理性： 分子数目少，压力低与大气压造成的压力差 分子密度小气体稀薄 气体分子平均自由径长，相互碰撞频率少，减少表面污染 化学性： 造就一个非活跃性空间，避免不必要的污染 电子与离子伴随的化学反应，在大气压下无法发生，在真空状态下成为可能 等离子体 1.什么是等离子体 在一定条件下气体电离出的自由电子总的负电量与正离子总的正电量相等．这种高度电离的、宏观上呈中性的气体叫等离子体。 电离产生的等离子体往往包含离子、电子、激发状态的原子、分子、分子分解而成的活性基、各种分子簇……这些粒子在等离子体中相互碰撞。 等离子为物质的第四种形态（气体，液体，固体） 2.常见的等离子体 日常生活中遇到的闪电和极光，太阳，日光灯等都是等离子体 3. 等离子体的产生 4.气体分子数与离化几率的关系 5. 等离子体的特点 6. 等离子体在半导体中的应用 物理成膜 物理成膜 热蒸发 溅射 电阻丝加热 石英坩埚加热 电子束加热 直流二极溅射 射频溅射 磁控溅射 离子镀 高频感应蒸发 三极和四极溅射 零气压溅射 自溅射 直流二极型 射频放电离子镀 电弧放电型高真空 离子束溅射 分子束外延MBE 脉冲激光沉积PLD 1. 蒸镀沉积过程 蒸发或升华。通过一定加热方式使被蒸发材料受热蒸发或升华，由固态或液态变成气态。 输运到衬底。气态原子或分子在真空状态及一定蒸气压条件下由蒸发源输运到衬底。 吸附、成核与生长。通过粒子对衬底表面的碰撞，衬底表面对粒子的吸附以及在表面的迁移完成成核与生长过程。是一个以能量转换为主的过程。 第一章 蒸镀 2. 蒸镀 热蒸镀主要应用在对附着力要求不高，可快速大量生产。 其中的电子束蒸镀是阻热蒸镀的升级版，由于是直接电子束加热靶材表面， 因此可以避免坩锅本身对薄膜成分的影响，但是设备比较复杂 真空蒸发镀膜原理 电子束蒸发镀膜原理 1.溅射镀膜 在某一温度下,如果固体或液体受到适当的高能离子的轰击,那么固体或液体中的原子通过碰撞有可能获得足够的能量从表面逃逸,这一将原子从表面发射的方式叫溅射. 溅射是指具有足够高能量的粒子轰击固体表面使其中的原子发射出来。 第二章 溅射镀膜 磁控溅射是在溅射镀膜的基础上增加磁性偏转，