半导体工艺及器件模拟复习题稿.ppt

* 半导体器件电学特性仿真 DESSIS 已经学过的基本半导体器件方程，包括： 电流连续性方程 电流输运方程 泊松方程 * 半导体器件电学特性仿真 DESSIS 一维情况下,上述方程组可化简为： 电流连续性方程 电流输运方程 泊松方程 半导体器件电学特性仿真 DESSIS * 若计算温度分布，需要求解如下方程： 如采用热力学模型，需在Physics节中加Thermodynamic关键词 其中 * NMOS电学特性仿真 Electrode { *Having loaded the device structure into DESSIS, it is necessary * to specify which of the contacts are to be treated as electrodes. * Electrodes in DESSIS are defined by electrical boundary * conditions and contain no mesh. { Name=source” Voltage=0.0 } { Name=drain“ Voltage=0 } { Name=gate“ Voltage=0 Barrier=-0.55 } { Name=substrate Voltage=0.0 } } *Barrier=-0.55，将多晶硅看成金属，其与本 征硅的功函数差. * NMOS电学特性仿真 Barrier= -0.55 This is the metal–semiconductor work function difference or barrier value for a polysilicon electrode that is treated as a metal. This is defined, in general, as the difference between the metal Fermi level in the electrode and the intrinsic Fermi level in the semiconductor. 即重掺杂N+多晶硅作为金属电极使用时,它的费米势为: -0.55, 本征硅的费米势近似为零. 如果是PMOS, 则多晶硅做电极需要P型重掺杂,其费米势 为:0.55，则Barrier=0.55-0=0.55 * NMOS电学特性仿真 Physics { Mobility (DopingDep HighFieldSat Enormal) Recombination(SRH(DopingDep) Auger) EffectiveIntrinsicDensity (BandGapNarrowing (OldSlotboom)) } Enormal: Normal Electric Field 的简写，指硅与氧化层界面电场导致迁移率 下降，主要针对MOS，对BJT/PN结忽略。 Recombination:由于是单极器件，复合项影响不大，有时可以忽略。 EffectiveIntrinsicDensity：考虑重掺杂引起的有效本征载流子浓度变化。 BandGapNarrowing: 考虑重掺杂导致禁带宽度变窄，以及禁带宽度随温度的变化。 * NMOS电学特性仿真 Dessis提供了四种不同的 的值 1） BennettWilson 3) SlotBoom OldSlotBoom 4) delAlamo 第一种对应带隙变窄缺省模式： EffectiveIntrinsicDensity (BandGapNarrowing(BennettWilson) Ni=NA+ND 各模型的Nref不同 * NMOS电学特性仿真 Barrier= -0.55 This is the metal–semiconductor work function difference or barrier value for a polysilicon electrode that is treated as a metal. This is defined, in general, as the difference between the me