半导体物理5题稿.ppt

5.5 载流子的扩散运动 5.5.1 一维扩散方程 5.5.1 一维扩散方程 5.5.2 一维扩散方程的稳态解 5.5.2 一维扩散方程的稳态解 a. 5.5.2 一维扩散方程的稳态解 5.5.2 一维扩散方程的稳态解 在上述特定的问题中，各处扩散流的大小就象那里的非平衡载流子以扩散速度移动所产生的一样。 在表面x=0处，d?p /dx可求，(?p)0／Lp，就象表面非平衡空穴经过Lp的长度线性衰减所产生的梯度一样。 5.5.2 一维扩散方程的稳态解 b. 5.5.2 一维扩散方程的稳态解 此时，非平衡载流子浓度在样品内呈线性分布。 5.5.3 扩散电流 5.5.3 扩散电流 5.5.4 探针注入 探针尖陷入半导体表面形成半径为r0的半球。 在这种情况下，非平衡载流子浓度?p只是径距r的函数，是一个球对称的情况。 5.5.4 探针注入 在边界处，沿径向的流密度为 比较： 这表明, 这里扩散的效率比平面情况要高。 5.6 载流子的漂移运动、爱因斯坦关系式 5.6.1 浓度梯度引起的自建电场 5.6.2 爱因斯坦关系式 5.6.2 爱因斯坦关系式 5.6.3 丹倍效应 5.6.3 丹倍效应 丹倍效应的几点说明： 1、来源——电子与空穴扩散不同步，电子比空穴快。 2、作用——降低电子扩散，加速空穴扩散，努力使之同步。 3、双极扩散系数——概括了丹倍电场对电子和空穴扩散的影响。总的来说，丹倍效应对少子扩散影响小，而对多子扩散影响大。 5.7 连续性方程式 5.7.1 少子连续性方程的一般形式 5.7.2 连续性方程的应用 5.7.2 连续性方程的应用 a. 光激发的载流子衰减 5.7.2 连续性方程的应用 b. 瞬时光脉冲 5.7.2 连续性方程的应用 c. 瞬时电脉冲 5.7.2 连续性方程的应用 d. 光照恒定，稳态 5.7.2 连续性方程的应用 5.7.2 连续性方程的应用 e. 稳态下的表面复合 5.7.2 连续性方程的应用 例1 p型半导体掺杂NA=1016/cm3，少子寿命为10us。在均匀光照下，产生非平衡载流子，其产生率为1018/cm3S。求室温时光照下的EF并和原来无光照时的EF比较(ni=1010/cm3)。 例2 设NA=1015/cm3的p-Si， ni=1.5×1010cm-3。若载流子注入在正x区域内产生的非平衡电子浓度为?n(x)=1017exp(-2000x)。求空穴浓度p(x)，并计算在x=0处电子浓度与空穴浓度的比值n/p，说明是小注入还是大注入。 例3 一均匀n-Si，如图左半部用稳定光照射，均匀产生电子空穴对，产生率为g，若样品足够长，求稳态时样品两边的空穴浓度分布。 例4 一非均匀半导体p0如图所示。 (1)求无外电场时，Jp(x)的表达式并画曲线。 (2)若要使净空穴电流为零，求所需内电场的表达式并画曲线。 三维情况类似，见教材P136-137 * 三维 球面坐标变换 * * 原因： 在平面情况下，浓度梯度完全依靠载流子进入半导体内的复合。 在球对称情况下，径向运动本身就引起载流子的疏散，造成浓度梯度，增强了扩散的效率。 几何形状引起的扩散速度 * 考虑一n型半导体，掺杂不均匀，热平衡状态 * * 代入 爱因斯坦关系式 针对平衡态推导出来的，但也适用于非平衡态 但注意，只对非简并半导体适用！！！ * 要产生一自建场——丹倍电场 双极扩散系数 * * 以n型半导体为例，考虑一维情况 扩散 漂移 产生 复合 * 均匀掺杂： 均匀电场： 稳态： 内部没有其它产生：gp=0 * （没有电场） （体内均匀产生非平衡载流子） （t=0时刻，光照停止） * （没有电场） （脉冲已停止） * （有均匀电场） （电脉冲已停止） * （有均匀电场） （体内没有光照） (稳态) * * （没有电场） (稳态) * * * 边界处向右扩散 x p(x) * 样品 P(x) P(0) p0 0 w x (3)若p(0)/p0=103，求x=0和x=w之间的电位差。 (已知：Dp、?p、?、p0为平衡浓度，w为样品厚度，室温下) * * 重庆邮电大学微电子教学部 * 5.3.2 间接复合 * 重庆邮电大学微电子教学部 * 5.3.2 间接复合 * 重庆邮电大学微电子教学部 * 5.3.2 间接复合 ： 深能级——有效的复合中心 重庆邮电大学微电子教学部 * 5.3.2 间接复合 * * 重庆邮电大学微电子教学部 * 5.3.2 间接复合 俘获截面 单位时间内，某个复合中心俘获的电子（或空穴）数