半导体照明技术(第六讲)孟题稿.ppt

半 导 体 照 明 技 术 * 第四章 半导体的激发与发光 半导体发光二极管能将电能直接转变为光能。其原理是电能造成比热平衡时更多的电子和空穴，同时，由于复合而减少电子和空穴，造成新的热平衡，在复合过程中，能量以光的形式放出。 本章主要介绍PN结及其特性、注入载流子的复合、异质结构等内容。 一、半导体基础知识 （一）半导体的晶体结构 硅和锗是四价元素，在原子最外层轨道上的四个电子称为价电子。它们分别与周围的四个原子的价电子形成共价键。共价键中的价电子为这些原子所共有，并为它们所束缚，在空间形成排列有序的晶体。 硅原子空间排列 及共价键结构平面示意图 共价键 第一节 半导体PN结及其特性 （二）本征半导体: 纯净的结构完整的半导体。 本征半导体特性： （1）热力学温度为0K时，几乎不导电。 （2）光激发、热激发和掺入杂质可以使其导电能力增加。对 应的导电元器件分别是光敏元件、热敏元件、晶体管。 （三）半导体的导电原理 1、电子 当半导体处于热力学温度0K时，没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚而参与导电，成为自由电子。 这一现象称为本征激发，也称热激发。 2、空穴 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，原子的电中性被破坏，呈现出正电性，其正电量与电子的负电量相等，人们常称呈现正电性的这个空位为空穴。 3、电子空穴对 因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。游离的部分自由电子落入未饱和共价键，则电子空穴成对消失，称为复合。 本征激发和复合的过程 因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。 （四）杂质半导体 1、N型半导体 四价的本征半导体(Si、Ge等)，掺入少量五价的杂质元素(如P、As等)形成电子型半导体，称N型半导体。也称电子型半导体。 N型半导体结构示意图 在N型半导体中自由电子是多数载流子,它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。 提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质。 2、P型半导体 在本征半导体中掺入三价杂质元素(如硼[B]、铟[In]等)形成了P型半导体，也称为空穴型半导体。因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。 P型半导体的结构示意图 P型半导体中空穴是多数载流子，主要由掺杂形成； 电子是少数载流子，由热激发形成。 空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子，三价杂质因而也称为受主杂质。 3、N型化合物半导体 例如，化合物GaAs中掺Te(碲 )，六价的Te替代五价的As可形成施主能级，成为n型GaAs杂质半导体。 4、P型化合物半导体 例如，化合物 GaAs中掺Zn，二价的Zn替代三价的Ga可形成受主能级，成为p型GaAs杂质半导体。 二、PN结及其特性 P-N结 N型 P型 （一）PN结的形成 N型半导体和P型半导体的结合面上由于Ｎ区的电子向Ｐ区扩散，Ｐ区的空穴向Ｎ区扩散，在交界面附近产生了一个电场，称为内建场。内建场阻止电子和空穴进一步扩散，记作 。 最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。 2、PN结处存在电势差Uo。 也阻止N区 带负电的电子进 一步向P区扩散。 它阻止P区 带正电的空穴进 一步向N区扩散； U0 电子能级 电势曲线 电子电势能曲线 P-N结 3、由于PN结的存在，电子的能量应考虑到势垒带来的附加势能，使电子能带出现弯曲。 空带 空带 p-n结 施主能级 受主能级 满带 满带 1、ＰＮ结的单向导电性 （１） 正向偏压 在ＰＮ结的P型区接电源正极，N型区接负极叫正向偏压。 阻挡层势垒被削弱、变窄，有利于空穴向N区运动，电子向P区运动，形成正向电流(mＡ级)， PN结表现为小电阻。 p型 n型 I （二）PN结的特性 外加正向电压越大， 正向电流也越大， 而且是呈非线性的 伏安特性(图为锗管)。 V （伏） ３０ ２０ １０ （毫安） 正向 0 0.2 1.0 I （２） 反向偏压 在ＰＮ结的P型区接电源负极，N型区接电源正极，叫反向