半导体照明技术(第十章)题稿.ppt

N退火 N2 P压焊点光刻 P压焊点蒸发 P压焊点剥离 钝化层沉积 气体，功率 钝化层光刻 钝化层刻蚀 钝化层去胶 丙酮 中道终测检验 减薄 划片 裂片 扩膜 划片,裂片工作流程图 划片前晶片背面 划片后背面 划片后,侧视图 裂片后,侧视图 扩膜后,正视图 测试分检 总的来说，LED制作流程分为两大部分： 1、首先在衬低上制作氮化鎵（GaN）基的外延片，这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延片炉(MOCVD)中完成的。准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。 常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，还有GaAs、AlN、ZnO等材料。 MOCVD是利用气相反应物及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应，将所需的产物沉积在衬底表面。通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例，从而控制镀膜成分、晶相等品质。MOCVD外延炉是制作LED外延片最常用的设备。 2、然后是对LED PN结的两个电极进行加工，电极加工也是制作LED芯片的关键工序，包括清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨；然后对LED毛片进行划片、测试和分选，就可以得到所需的LED芯片。 如果芯片清洗不够干净，蒸镀系统不正常，会导致蒸镀出来的金属层（指蚀刻后的电极）会有脱落，金属层外观变色，金泡等异常。 蒸镀过程中有时需用弹簧夹固定芯片，因此会产生夹痕。黄光作业内容包括烘烤、上光阻、照相曝光、显影等，若显影不完全及光罩有破洞会有发光区残多出金属。芯片在前段工艺中，各项工艺如清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨等作业都必须使用镊子及花篮、载具等，因此会有芯片电极刮伤情形发生。 2、掩模 在薄膜、塑料或玻璃基体材料上制作各种功能图形并精确定位，以便用于光致抗蚀剂涂层选择性曝光的一种结构。 3、光刻胶 包含有光敏材料，涂覆在衬底上，通过掩模曝光产生与掩模相同的图案。分为正胶和负胶。 一、光刻技术 1、定义： 在半导体制造中利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。 4、光刻工艺流程 二、扩散 发光的PN结通常是将锌热扩散到N型外延材料中而形成的。 扩散是一种由浓度梯度造成的，以热运动方式进行的杂质原子是输运过程，扩散方程为 通常的扩散过程中片子表面的杂质浓度不变，称恒定表面浓度扩散，上式方程的解为： 三、欧姆接触电极 1、欧姆接触 是指金属与半导体的接触，而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻，使得组件操作时，大部分的电压降在活动区而不在接触面。 2、欲形成好的欧姆接触，有两个先决条件 （1）金属与半导体间有低的界面能障。 （2）半导体有高浓度的杂质掺入。 3、发光二极管有效和可靠工作的基本条件之一是应用低阻欧姆接触电极，该接触要足够厚，以提供合适的引线健合压点和接触材料之间最小的压降。 4、欧姆接触电极的制作 先在晶片表面上用真空蒸发、溅射、电镀等方法淀积一层选好的欧姆接触材料，然后在一定温度下合金化。 真空蒸发是最常用的方法，在高真空下用电阻加热或电子束轰击加热的方法，使被蒸发材料熔化。在低气压下，熔化了的蒸发材料表面的原子获得足够的能量得以脱离蒸发源，在半导体表面淀积一层接触材料。 四、ITO透明电极 1、应用ITO透明电极的原因 传统的NiAu合金电极具有非常好的电流扩展功能，但对可见光的透过率仅为60%-70%，因此利用氧化铟锡(Indinm-Tin-Oxide,ITO)透明电极的高可见光透过率和低电阻率是提高LED取光效率的有效途径之一。 2、ITO电极的制备 ITO膜的制备方法有磁控溅射法、蒸发法、喷涂法、气相反应法和溶液-凝胶法。 3、效果 能提高芯片的发光功率，提升幅度达51.8%。 五、表面粗化 1、粗化的原因 GaN和空气的折射率分别为2.5和1.0，相差较大，结果在多量子阱内产生的光，能够出射到空气中的临界角大约是22度，因此取光效率很低。通过对GaN表面进行粗化处理，形成不规则的凹凸，从而减少或者破坏GaN材料与空气界面处的全反射，可以提高LED的取光效率。 2、效果 对GaN表面粗化，目前的光输出功率能增加20%-50%。 六、激光剥离（Laser Lift-off，LLO） 1、定义 激光剥离技术是利用激光器的激光能量分解GaN/蓝宝石界面处的GaN缓冲层，从而实现LED外延片与蓝宝石衬底的分离。 2、原因 可带来的好处是可将外延片转移到高热导率的热沉上，做成铜衬底上的垂直结构，可减