电工学——秦曾煌主编第十五章ppt讲解.ppt

三、 差分放大电路的四种接法 A 双入、双出 B 双入、单出 C 单入、双出 D 单入、单出 基于不同的应用场合，有双、单端输入和双、单端输出的情况。 所谓“单端”指一端接地。 静态工作点 IE1=IE2=(UEE―UBE)∕2RE UCE1=Uo+UEE―REIE 1. 双端输入单端输出电路 　　　　 双端输入单端输出 差分放大电路 - + uI - Rb2 Rb1 IB1=IB2 =IE1/(1+ β) 注意：由于输出回路的不对称性，UCEQ1≠UCEQ2。 + - + Rb1 Rb2 - RL + - 　图3.3.7所示电路对差模信号的等效电路 动态分析 Rid=2(Rb +rbe;) Rod=RC 共模电压增益 如输入共模信号： uoc=―ICRL; uic=―IB[rbe+(1+β)2Re]; 共模信号作用下的双入单出电路 增大Re是改善共模抑制比的基本措施 静态分析 2. 单端输入、双端输出 与双入双出的一样 IE1=IE2=(VEE―VBE)∕2RE ； VCE1=VCE2≈VCC+VEE―(RC+2RE)IE Vo=0 uI IB1=IB2 =IE1/(1+ β) 单端输入、双端输出电路a 动态分析 运用叠加定理： 与双入双出的一样 共模输入信号 差模输入信号 单端输入、双端输出等效电路(b) 静态分析 与双入单出的一样 IE=(VEE―VBE)∕2RE ； VCE1=Vo+VEE―REIE Vo=VCCRL∕(RC+RL)―ICRLRC∕(RC+RL) 3. 单端输入、单端输出 　单端输入单端输出电路 动态分析：与双入单出的一样。（略） IB1=IB2 =IE1/(1+ β) uI 双端输出时： 单端输出时： (2)共模电压放大倍数 与单端输入还是双端输入无关，只与输出方式有关： 双端输出时： 单端输出时： 4.差动放大器动态参数计算总结 (1)差模电压放大倍数 与单端输入还是双端输入无关，只与输出方式有关： (3)差模输入电阻 不论是单端输入还是双端输入，差模输入电阻　　　Rid是基本放大电路的两倍。 (4)输出电阻 单端输出时 双端输出时 (5)共模抑制比 共模抑制比KCMR是差分放大器的一个重要指标。 或 双端输出时KCMR可认为等于无穷大， 单端输出时共模抑制比： N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 场效应管分类： 场效应管是电压控制电流元件，具有高输入阻抗。 15.8　场效应管放大电路 D S G N 符号 15.8.1　结型场效应管Junction Field Effect Transistor 结构 　N 沟道结型场效应管结构图 N型沟道 N型硅棒 栅极 源极 漏极 P+ P+ P 型区 耗尽层(PN 结) 　　在漏极和源极之间加上一个正向电压，N 型半导体中多数载流子电子可以导电。 　　导电沟道是 N 型的，称 N 沟道结型场效应管。 P 沟道场效应管 　P 沟道结型场效应管结构图 N+ N+ P型沟道 G S D P 沟道场效应管是在 P 型硅棒的两侧做成高掺杂的 N 型区(N+)，导电沟道为 P 型，多数载流子为空穴。 符号 G D S 15.8.2　绝缘栅型场效应管 MOSFET Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半导体场效应管，或简称 MOS 场效应管。 特点：输入电阻可达 1010 ? 以上。 类型 N 沟道 P 沟道 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 UGS = 0 时漏源间存在导电沟道称耗尽型场效应管； UGS = 0 时漏源间不存在导电沟道称增强型场效应管。 一、N 沟道增强型 MOS 场效应管 结构 P 型衬底 N+ N+ B G S D SiO2 源极 S 漏极 D 衬底引线 B 栅极 G 　N 沟道增强型MOS 场效应管的结构示意图 S G D B 1. 工作原理 绝缘栅场效应管利用 UGS 来控制“感应电荷”的多少，改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，以控制漏极电流 ID。 2.工作原理分析 (1)UGS = 0 漏源之间相当于两个背靠背的 PN 结，无论漏源之间加何种极性电压，总是不导电。 S B D (2) UDS = 0，0