5第四章真空蒸发镀膜法教案.ppt

* 与MBE相比，热壁法简便、价格便宜。但可控性和重复性稍差。 * 衬底的平均表面：薄膜接触衬底一侧的表面分子的集合的平均表面。 薄膜形状表面：薄膜上，不与衬底接触的那一侧的表面的平均表面。 质量等价表面：将所测的薄膜原子重新排列，使其密度和块状材料的相同且均匀分布在基片表面上，这时的平均表面称为质量等价表面 。 物性等价表面：根据所测量薄膜的物理性质，等效长度和宽度与所测的薄膜尺寸相同的块状材料的薄膜，这时的平均表面称为物性等价表面。 * 另一种方法是在绝缘基板上制作下电极，然后淀积一层介质薄膜后，再制作上电极，形成平板电容器。 由电容计算出薄膜厚度。 * 一般要求λ大于等于10h， 10-3—10-5Pa * 蒸发温度：也有的书上规定物质在饱和蒸气压为1Pa时的温度。 1 torr≈133.322 Pa 若蒸发温度高于熔点，则蒸发状态是熔融的，否则是升华的。 * * * * 显然，在真空条件下物质的蒸发要比常压下容易得多，所需蒸发温度大大降低，蒸发过程也将大大缩短，蒸发速率显著提高。 * 蒸发粒子的平均速度约为1000m/s，对应的平均动能约为0.1-0.2eV。这个数值只占汽化热的很小部分，可见大部分汽化热是用来克服固体或液体 中原子间的吸引力。 蒸发速率是指：单位时间从单位面积上蒸发的质量。 * 真空室的压强一般在10-2Pa以下。保证从源到基片大多数粒子直线飞行。 10-3Pa，自由程大约是6.6米。一般要求平均自由程大于等于10倍的源于基片的距离（一般10-50cm） * * 上述假设的实质是设每一个蒸发原子或分子，在入射到基板表面的过程中均不发生任何碰撞，而且到达基板后又全部凝结。在10-3Pa或更低压力下的蒸发过程来说，与实际情况非常接近。 * 蒸发源以每秒m克的蒸发速率向各个方向蒸发，单位时间内，在任何方向上，通过图中立体角内的蒸发量为dm。 * * 点源与小平面蒸发源相比，厚度的均匀性要好一些?，但淀积速率要低得多。 除了点蒸发源和小平面蒸发源以外，常见的模型还有环形蒸发源和细长蒸发源等。 * 直观看来，在以点源为中心的球面上，均可获得均匀膜厚，球面上可以放置很多基板。但实际上，作为点源，只能放置少量镀料，以其作为蒸发源，难以制作厚膜以及在大量基板上成膜。实用镀膜技术多采用蒸发舟或坩埚，其发射特性可以由小平面源来近似。 * 直观看来，在以点源为中心的球面上，均可获得均匀膜厚，球面上可以放置很多基板。但实际上，作为点源，只能放置少量镀料，以其作为 蒸发源，难以制作厚膜以及在大量基板上成膜。实用镀膜技术多采用蒸发舟或坩埚，其发射特性可以由小平面源来近似。 除点源和小平面蒸发源之外，常见的还有细长源和环形源等 * 为了使蒸气压达到1Pa左右，需要将镀料加热到比熔点稍高的温度。当然，有的物质（Cr、Mo、Si、Mg、Mn等）在比熔点稍低的温度就能升华。有的物质（Al、In、Ca）要在比熔点高得多的温度下才能升华。一般来说要得到高的蒸发速率需要加热到更高的温度。 * 电阻蒸发源结构简单，使用方便、造价低廉、使用相当普遍。 1.高熔点：因为镀料的蒸发温度（饱和蒸气压为1Pa时的温度）多数为1000-2000℃，所以蒸发源材料的熔点必须高于此温度。 2.饱和蒸气压低：主要是为了防止和减少高温下蒸发源材料会随着镀料蒸发而成为杂质进入蒸镀膜层中。 3.化学性能稳定，高温下不与蒸发材料反应：但是在电阻蒸发中比较容易出现的问题是，高温下某些蒸发源材料与镀料之间会发生反应和扩散 形成化合物和合金。特别是形成低熔点共晶合金，其影响非常大。如高温下，钽和金形成合金。一旦形成低熔点共晶合金，蒸发源就很容易烧断。 4.良好的耐热性，热源变化时，功率密度变化小： * 电阻蒸发源结构简单，使用方便、造价低廉、使用相当普遍。 1.高熔点：因为镀料的蒸发温度（饱和蒸气压为1Pa时的温度）多数为1000-2000℃，所以蒸发源材料的熔点必须高于此温度。 2.饱和蒸气压低：主要是为了防止和减少高温下蒸发源材料会随着镀料蒸发而成为杂质进入蒸镀膜层中。 Nb：铌 * e为舟状蒸发源用加热器。f为加热丝和坩埚的组合。 * 假如U=10kV，则电子速度可以达到数万km/s。这样的高速运动的电子流在一定的电磁场作用下，汇聚成束并轰击到镀料表面，动能变成热能。 上式电子束功率中，n为电子流量，单位s-1，I为电子束的束流强度，单位为A * 电子束加热源的缺点之一是电子枪发出的一次电子和镀料表面发出的二次电子会使蒸发原子核残余气体分子电离，影响膜层质量。 但可以通过设计和选用不同结构的电子枪加以解决。 X光线波长介于紫外线和γ射线 间的电磁辐射。X射线是一种波长很短的电磁辐射，其波长约为（20～0.06）×10-8厘米之间