第11章节真空断路器.pptVIP

真空断路器 利用真空作为触头间的绝缘与灭弧介质的断路器称为真空断路器。 真空一般指的是气体稀薄的空间。凡是绝对压力低干正常大气压力的状态都可称为真空状态。绝对压力等于零的空间称为绝对真空，这才是真正的真空或理想的真空。 真空的程度以气体的绝对压力值来表示，压力越低称之真空度越高。在国际单位制中，压力以帕(Pa)为单位。一个工程大气压约为0.1MPa(兆帕)。过去习惯使用毫米汞柱(mmHg)或托(Torr) 真空包括的范围很广，为方便起见常将它划分为几个区域 真空灭弧室的真空度(即真空压力值)在10-4Torr一10-7Torr，即1.33×10-2Pa—1.33×10-5Pa ，属于高真空范畴。在这样高的真空度下，气体的密度很低，气体分子的平均自由路程很长，因此触头间隙的绝缘强度很高。 真空开关电器发展简述 早期的理论研究阶段。利用真空介质来熄灭电弧的设想在19世纪末就已提出，20世纪20年代制造出了最早的真空灭弧室。但是由于受真空工艺、材料等技术水平的限制，当时并未实现实用化。 深入的理论研究和关键工艺发展的阶段。20世纪50年代以后，随着电子工业发展起来的许多新技术，解决了真空灭弧室制造中的很多难题，使真空开关逐渐达到实用水平。50年代中期美国通用电气公司批量生产12kV额定短路开断电流为12kA的真空断路器。随后在50年代末由于发展了具有横向磁场触头的真空灭弧室，使额定短路开断开断电流提高到30kA的水平。 真空开关电器的全面发展预广泛应用阶段。70年代后，日本东芝电气公司研制成功具有纵向磁场触头的真空灭弧室，使额定开断电流又进一步提高到50kA以上。目前真空断路器已广泛用于10kV、35kV配电系统中，额定短路开断电流已能做到50kA—100kA。 一、真空间隙的绝缘特性 理想的真空间隙是指电极表面光滑的真空间隙。 高真空间隙中，气体分子的平均自由行程很长，比真空开关中的触头间隙距离大一个数量级。气体分子的碰撞游离基本不起作用，这就是高真空间隙具有很高绝缘强度的根本原因。 高真空间隙的绝缘强度比变压器油、高压力的压缩空气和六氟化硫气体高得多。 随着间隙距离的增大，高真空间隙的绝缘强度出现“饱和现象”，即距离过分增大，击穿电压增加不多。 1. 真空间隙的击穿机理 大量研究表明，真空间隙的击穿不是由于间隙中气体分子的碰撞游离所引起，而主要由电极现象决定。 随着电极表面温度和外加电场强度的增大，电极表面电子发射的电流密度也增大。实验证明，当电流密度达到某一临界值时，真空间隙就被击穿了。 如果只考虑电场作用，要产生间隙击穿，电场强度必须达到109V/m以上。但实际情况下的电场强度值要小得多，例如1cm长的高真空间隙的击穿电压约为100kV，相应的电场强度为107V/m。 （1）场致发射击穿机理 （2）微粒击穿机理 电极表面不可避免地总会粘有一些微粒质点，它们在电场作用下会附着电荷运动，具有一定的动能。如果电场足够强，微粒直径又适当，在穿过间隙到达另一电极时已经具有很大的动能，在与另一电极碰撞时，动能转变为热能，使微粒本身熔化和蒸发，蒸发产生的金属蒸气又会与场致发射的电子产生碰撞游离，最终导致间隙的击穿。 根据微粒击穿机理，真空间隙的击穿电压与间隙距离0.5次方成正比。 这三种引起真空击穿的原因并不是孤立的、是相互关联而又同时发生作用的。许多研究者认为；当真空间隙(电极间距离)很小时，击穿主要由场致发射引起；真空间隙较大时，微粒的作用成为击穿的主要原因。而电场的二次发射造成击穿的可能性极小。 真空中的绝缘击穿电压，根据电极材料与表面状态的不同而有显著差别。通常，电极材料的熔点或机械强度越高其绝缘击穿电压也越高。在电极表面有突起的部分时，其耐压强度即显著降低。为消除此种电极表面的突起，需要进行放电处理(老炼处理)。此外，电极表面附着有气体或有机物时，在较低电压下即发生绝缘击穿，因此，必须注意使电极表面非常清洁。 真空间隙击穿所需时间极短，一般在数十至一百多纳秒内。真空击穿初始阶段的电流由间隙的分布电容贮能提供，当电源功率足够大时，击穿才能发展成真空电弧。在电力系统中，电源功率很大，所以其中触头间的击穿通常都能转变成真空电弧。 2.影响真空间隙击穿电压的因素 （1）真空间隙距离 （2）真空度 （3）电极材料 （4）电极表面状况 （5）电极老炼 电压老炼就是通过放电消除电极表面的微观凸起、杂质和缺陷。经过小电流的放电使表面的微观凸起点烧熔、蒸发，使电极表面光滑平整，局部电场的增强效应减小，提高了击穿电压。老炼对电极表面的纯化作用也是很重要的。由于电极表面的电子发射容易出现在逸出功较低的杂质所在处，击穿放电同样能使杂质熔化和挥发，同样能提高间隙的击穿电压。老炼过程中若能同时抽气，把蒸发的气态物抽走，效果更佳。电压老炼只适宜用在