7_薄膜制备技术教案.ppt

（3）离子束辅助沉积 低能的离子束1用于轰击靶材，使靶材原子溅射并沉积在基底上； 离子束2起轰击（注入）作用，同时，可在室温或近似室温下合成具有良好性能的 合金、化合物、特种膜层，以满足对材料表面改性的需要。 4）离子镀的应用 7.3 化学成膜 有化学反应的使用与参与，利用物质间的化学反应实现薄膜生长的方法。 化学气相沉积(CVD – Chemical Vapor Deposition ) 液相反应沉积(液相外延) 7.3.1 化学气相沉积 气相沉积的基本过程包括三个步骤：即提供气相镀料；镀料向镀制的工件或基片输送；镀料沉积在基片上构成膜层 气相沉积过程中沉积粒子来源于化合物的气相分解反应，因此，称为化学气相沉积（CVD），否则，称为物理气相沉积（PVD）。 CVD与PVD的不同处：沉积粒子来源于化合物的气相分解反应 1. 化学气相沉积的基本概念 （1）原 理 TiCl4 +CH4 ——?TiC? +4HCl （2） CVD薄膜生长过程 反应气体向衬底表面输运扩散； 反应气体在衬底表面吸附； 衬底表面气体间的化学反应，生成固态和气态产物，固态生成物粒子经表面扩散成膜； 气态生成物由内向外扩散和表面解吸； 气态生成物向表面区外的扩散和排放。 3. 溅射的物理基础——辉光放电 溅射镀膜基于高能粒子轰击靶材时的溅射效应。整个溅射过程是建立在辉光放电的基础上，使气体放电产生正离子，并被加速后轰击靶材的离子离开靶，沉积成膜的过程。 不同的溅射技术采用不同的辉光放电方式，包括： 直流辉光放电?—直流溅射 射频辉光放电—射频溅射? 磁场中的气体放电—磁控溅射 （1）直流辉光放电 指在两电极间加一定直流电压时，两电极间的稀薄气体（真空度约为13.3-133Pa）产生的放电现象。 直流辉光放电的伏安特性曲线 AB — 无光放电区 BC — 汤森放电区 CD — 过渡区 DE — 正常辉光放电区 EF — 异常辉光放电区 FG — 弧光放电区 （2）射频辉光放电 指通过电容耦合在两电极之间加上射频电压，而在电极之间产生的放电现象。电子在变化的电场中振荡从而获得能量，并且与原子碰撞产生离子和更多的电子。 射频放电的频率范围：1-30MHz，工业用频率为13.56MHz 其特点是： 辉光放电空间产生的电子，获得足够的能量，足以产生碰撞电离，减少对二次电子的依赖，降低击穿电压 射频电压能够通过任何类型的阻抗耦合进去，所以，电极无需是导体，可以溅射任何材料 （3）电磁场中的气体放电 在放电电场空间加上磁场，放电空间中的电子就要围绕磁力线作回旋运动，其回旋半径为eB/mv，磁场对放电的影响效果，因电场与磁场的相互位置不同而有很大的差别。 4. 溅射特性参数 （1）溅射阈值 （2）溅射率 （3）溅射粒子的状态、能量、速度 （4）溅射粒子的角分布 4. 溅射特性参数 （1）溅射阈值： 使靶材料原子发生溅射所需的最小入射离子能量，低于该值不能发生溅射。大多数金属该值为10～20ev。 （2）溅射率： 正离子轰击靶阴极时平均每个正离子能从靶材中打击出的粒子数，又称溅射产额或溅射系数，S。 S = Ns / Ni Ni-入射到靶表面的粒子数 Ns-从靶表面溅射出来的粒子数 定义 影响因素 ① 入射离子能量 ② 靶材种类 ③ 入射离子种类 溅射率与靶材元素在周期表中的位置有关。 一般规律：溅射率随靶材元素的原子序数增大而增大 Cu、Ag、Au 较大 C、Si、Ti、V、Ta、W等 较小 溅射率依赖于入射离子的能量，相对原子质量越大，溅射率越高。 溅射率随原子序数发生周期性变化，每一周期电子壳层填满的元素具有最大的溅射率。 惰性气体的溅射率最高。 ④ 入射角 入射角是入射离子入射方向与被溅射靶材表面法线之间的夹角 ⑤ 溅射温度 ? 靶材 （3）溅射出的粒子 从靶材上被溅射下来的物质微粒，主要参数有：粒子状态、粒子能量和速度。 溅射粒子的状态与入射离子的能量有关 溅射粒子的能量与靶材、入射离子的种类和能量以及溅射粒子的方向性有关，其能量可比蒸发原子的能量大1～2个数量级。 （4）溅射粒子的角分布 溅射原子的角度分布符合Knudsen的余弦定律。也与入射原子的方向性、晶体结构等有关。 4. 几种典型的溅射镀膜方法 （1）直流溅射镀膜 靶材为阴极 基片置于阳极 极间电压1-2KV 真空度1-几百Pa 放电气体：Ar 只适用于导体 + - 也称等离子弧柱溅射，在热阴极和辅助阳极之间形成低电压、大电流的等离子体弧柱，大量电子碰撞气体电离，产生大量离子。 （2）射频溅射镀膜 适用于导体、半导体、绝缘体 射频是无线电波发射范围的频率，为避免干扰电台工作，溅射专用频率规定为13.56MHz。