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第二章激光2016讲解

2. 半导体激光器工作的阈值条件 激光器产生激光的前提条件除了粒子数发生反转还需要满足阈值条件 增益系数和粒子数反转的关系也取决于谐振腔内的工作物质 3.半导体激光器的阈值电流 在一定的时间间隔内,注入激光器的电子总数与同样时间内发生的电子与空穴复合数相等而达到平衡 同质结和异质结半导体激光器 1. 同质结砷化镓(GaAs)激光器的特性 图 GaAs激光器的伏安特性 伏安特性: 与二极管相同,也具有单向导电性。 阈值电流密度: 影响阈值的因素很多 方向性: 图给出了半导体激光束的空间分布示意图。 图 激光束的空间分布示意图 光谱特性: 图是GaAs激光器的发射光谱。其中图(a)是低于阈值时的荧光光谱,谱宽一般为几百埃,图(b)是注入电流达到或大于阈值时的激光光谱,谱宽达几十埃。 图(5-31) GaAs激光器的发射光谱 转换效率 直接将电功率转换为光功率,转换效率极高 外微分量子效率: 功率效率:功率效率定义为激光器的输出功率与输入电功率之比 单异质结半导体激光器 双异质结半导体激光器 图同质结、异质结结构示意图 2. 异质结半导体激光器 高亮度半导体激光器 小功率半导体激光器 小功率光纤耦合半导体激光器 大功率光纤耦合输出的半导体激光 光通信系统 固体激光泵浦 医疗、微加工、打标、 照明、激光打印机、 全息照相、激光准直、测距

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