集成电路薄膜互连线力学失效行为及评价.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 集成电路薄膜互连线力学失效行为及评价 唐武1，房永思1，徐可为2 1电子科技大学微电子与固体电子学院，610054，成都 2西安交通大学金属材料强度国家重点实验室，710049，西安 摘要：集成电路薄膜互连线虽然很少把薄膜用作力学负载的结构部件，但是受基体的约 束，在电路服役过程中，经常会出现薄膜与基体剥离的现象。本文将就如何评价薄膜与基 体的结合性能进行探讨。采用常规的划痕法对微波集成电路用Au／NiCr／Ta和Au／NiCr多 层薄膜进行评价。结果表明，该方法简单易行，能够准确测量出不同薄膜层剥离的临界特 征载荷值，值得工业应用推广。 I．前言 数据和信息处理技术的高速发展是现代技术领域中举世瞩目的最伟大成就之一。这些 成就的取得源于器件的发展达到了前所未有的高度以及具有优异性能的新型材料的研究 开发。半导体器件、微波器件、晶体管或固态激光器等器件大多数是依靠在不同基片上的 薄膜生长技术制造的，集成电路中各单元的电互联也是采用光刻工艺形成不同宽度线条的 金属薄膜来实现的，某种程度上可以说，这些新发展的微电子技术其材料基础是薄膜科学 和工艺学。金属薄膜在整个集成电路制作工艺中是一个至关重要的环节。 对集成电路中薄膜而言，除了其本身的功能性之外，另外一个重要的力学性能指标是 膜／基结合强度。薄膜与基体的结合状态对于