用第一原理之計算方法探討奈米碳管在外加電場下電子結構之變化.doc

第一原理之計算方法 探討奈米碳管在外加電場下電子結構之變化 文/陳俊維 一、前言： 自從奈米碳管於1991年被發現以來，已經吸引全世界廣泛之研究。研究發現，藉由奈米碳管之捲曲角度(chiral angles)不同，使得碳管呈現出金屬與半導體不同之特性。此外，由於其特殊之幾何形狀及電子特性，使得其可應用於場發射平面顯示器(field emission displays, FEDs)[1], 真空微電子元件[2]、及場效應電晶體(field effect transistors, FETs)[3]。 在場發射之應用上，主要是利用沿著奈米碳管之管軸上之電場，使電子發射至真空中。由於碳管之非常高之aspect ratio，導致非常高之電場增益效應(field enhancement)，使得元件之場發射起始電壓大幅降低。而奈米碳管之場發射機制，目前被廣泛引用之理論，主要是利用Folwer-Nordheim 方程式[4]來描寫。其主要機制為電子在高aspect ratio奈米碳材中，面臨與石墨相當之位能障礙(workfunction)，利用量子穿隧效應(quantum tunneling)，而穿隧到真空中。其中決定場發射效應最重要之兩個因素，一為材料之功函數(workfunction)，另一個為其幾合增益因子 (geometric enhancement factor)。然而許多實驗顯示