西北工业大学-CMOS实验-实验四-运放的仿真分析报告.doc

实验四 运放的仿真方法 实验运放：仿真前，直流扫描，确定工作点 sp文件(部分） .GLOBAL VDD IREF VDD NET3 DC=25u M1 NET1 1 NET2 NET2 NMOS L=2u W=47u M2 VOUT 2 NET2 NET2 NMOS L=2u W=47u M3 NET1 NET1 VDD VDD PMOS L=2u W=22u M4 VOUT NET1 VDD VDD PMOS L=2u W=22u M5 NET2 NET3 GND GND NMOS L=2u W=20u M6 NET3 NET3 GND GND NMOS L=2u W=20u V1 1 VIN 0 V2 2 VOUT 0 VGND GND 0 0 VVDD VDD 0 3.3 VVIN VIN 0 0 .DC VVIN 0 3.3 0.05 .options post acct probe .probe V(Vout) I(M5) .END 结果如下图 工作点选定为2.0V AMP文件 .GLOBAL VDD GND .SUBCKT AMP1 GND VDD Vin+ Vin- VOUT IREF VDD NET3 DC=25E-6 M1 NET1 Vin+ NET2 GND NMOS L=2E-6 W=47E-6 M2 VOUT Vin- NET2 GND NMOS L=2E-6 W=47E-6 M3 NET1 NET1 VDD VDD PMOS L=2E-6 W=22E-6 M4 VOUT NET1 VDD VDD PMOS L=2E-6 W=22E-6 M5 NET2 NET3 GND GND NMOS L=2E-6 W=20E-6 M6 NET3 NET3 GND GND NMOS L=2E-6 W=20E-6 .ENDS AMP1 LIB文件 **********************model NMOS********************** .MODEL NMOS NMOS( +LEVEL=1 VT0=0.7 GAMMA=0.45 PHI=0.9 +NSUB=9e+14 LD=0.08e-6 U0=350 LAMBDA=0.1 +TOX=9e-9 PB=0.9 CJ=0.56e-3 CJSW=0.35e-11 +MJ=0.45 MJSW=0.2 CGDO=0.4e-9 JS=1.0e-8) **********************model PMOS********************** .MODEL PMOS PMOS( +LEVEL=1 VT0=-0.8 GAMMA=0.4 PHI=0.8 +NSUB=5e+14 LD=0.09e-6 U0=100 LAMBDA=0.2 +TOX=9e-9 PB=0.9 CJ=0.94e-3 CJSW=0.32e-11 +MJ=0.5 MJSW=0.3 CGDO=0.3e-9 JS=0.5e-8) 一、输入失调电压(Voltage Offset)的仿真 1.sp文件 .title test1 .include ./lib.txt .include ./amp1.net XI0 0 VDD VIN VOUT VOUT AMP1 ****************************************************** VVDD VDD 0 3.3 VVIN VIN 0 0 .DC VVIN 0 3.3 0.05 *.DC temp -40 120 1 .options post acct probe .PROBE V(VOUT) *V(VIN) VOS=par‘V(VOUT)-V(VIN)’ .op .END 2.仿真结果 温度对失调电压的影响 1.sp文件 .title test1 .include ./lib.txt .include ./amp1.net XI0 0 VDD VIN VOUT VOUT AMP1 ****************************************************** VVDD VDD 0 3.3 VVIN VIN 0 0 *.DC VVIN 0 3.3 0.05 .DC temp -40 120 1 .options post acct prob