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济南汇丰中天电子科技有限公司 -------- 浅谈半导体二极管 张晴晴 2012.8.29 半导体二极管 1.1二极管的结构 1.2二极管的伏安特性 1.3二极管的主要参数 1.4二极管的封装 半导体二极管 1.1半导体二极管的结构 结构： 晶粒（PN结）+焊片+两端引线+主体=二极管 从P区引出的电极 称为阳极(即二 极管的正极)，从N区引出的电极 称为阴极(即二极管的负极)。 半导体二极管 1. 2二极管的伏安特性 所谓二极管的伏安特性是指流过二极 管的电流与两端所加电压的函数关系。二 极管实际是一个PN结，它具有PN结的单 向导电性，其伏安特性曲线 如图。 由图中可见，二极管的伏安特性 是非线性的，大致分为四个区：死区、 正向导通区、反向截止区和反向击穿 区。 半导体二极管 1.2二极管的伏安特性 二、正向导通区 当外加正向电压大于死区电压时， 二极管由不导通变为导通，当电压再 继续增加时，电流将急剧增加，而二 极管的电压却几乎不变，此时二极管 的电压称为正向导通压降。 硅管正向导通压降为0.6-0.7V， 锗管正向导通压降为0.2-0.3V。 半导体二极管 1.2二极管的伏安特性 三、反向截止区 在二极管加上反向电压时， 由于少数载流子的漂移运动形 成很小的反向电流。反向电流 有两个特点，它随温度的上升增长很 快；在反向电压不超过某一范围，反 向电流的大小基本恒定，而与反向电 压的高低无关，故通常称它为反向饱 和电流。这是因为少数载流子数目有限， 它们基本上都参与导电，所以在反向电压不超过 某一范围时，反向电流很小且基本恒定。此时二 极管呈高阻状态。 半导体二极管 1.3二极管的主要参数 反向电压VR：加于二极管两端的恒定的电压值。 正向电压VF ：电流正向流动时在二极管两端产生的电压。 正向电流IF：沿二极管低阻方向流过的电流。 反向电流IR：施加规定的反向电压时流过二极管的总传导电流。 半导体二极管 1.3二极管的主要参数 恢复时间(trr)：又称开关时间。当二极管从正向转换到反向时，电流通过零值的瞬间与反向电流经过峰值IRM后减少到某一规定的低值的瞬间之间的时间间隔。 半导体二极管 1.3.1 不同类型材料的TRR(ns) STD(800-5000)也就是整流二极管 FR(500)快恢复整流二极管 HER(75)高效率整流二极管 UF(50)超快恢复整流二极管 SF(35)超快恢复整流二极管 SKY(一般忽略不计）肖特基 半导体二极管 1.3.2 不同类型材料的 VF (V) 整流二极管：VF在1V左右 快恢复整流二极管：VF:1.3V左右 超快恢复整流二极管（高效率整流二极管）：0.95-1.7V 肖特基:正向电压一般很小 半导体二极管 1.4 半导体二极管的封装 --------插件二极管和贴片二极管 1.4.1插件二极管的主要封装 R-1， D0-41 ，D0-15，D0-27 ，R-6，TO-220 1.4.2贴片二极管的主要封装 D0-214AC(SMA),D0-214AA(SMB),D0- 214AB(SMC),SOD-123/323/523/723 ,SOT-23/323/523 * U(V) 0.4 0 0.8 -50 -25 I (mA) 20 40 60 (?A) 40 20 半导体二极管 1.2二极管的伏安特性 一、死区 由图可见，当外加正向电压 很低时， 由于外加电场还不能克 服PN结内电场对多数载流子扩散 运动的阻力，故正向电流很小， 几乎为零，这一区域称为死区。 通常硅管的死区电压约为0.5V， 锗管的死区电压约为0.2V。 U(V) 0.4 0 0.8 -50 -25 I (mA) 20 40 60 (?A) 40 20 死区 U(V) 0.4 0 0.8 -50 -25 I (mA) 20 40 60 (?A) 40 20 导通区 U(V) 0.4 0 0.8 -50 -25 I (mA) 20 40 60 (?A) 40 20 反向 截止区