磁控溅射制备多晶Si薄膜的工艺及性能分析.doc

磁控溅射制备多晶Si薄膜的工艺及性能分析 马志敏，何晓雄，孙飞翔，许世峰，肖会明 (合肥工业大学 学院，安徽 合肥 230009) 文献标识码：Aprepared by magnetron sputtering MA Zhi-min，HE Xiao-xiong，SUN Fei-xiang，XU Shi-feng，XIAO Hui-ming (School of Electronic Science Applied Physics, , Hefei University of Technology, Hefei 230009, China) Abstract: Polycrystalline Si thin films were prepared by radio frequency magnetron sputtering method. Then, the influences of the sputtering power and sputtering pressure on the surface morphology and the light transmittance of the poly-Si thin film were studied by atomic force microscope, spectrophotometer. The influences of annealing temperature on crystallinity were studied by X-ray diffraction(XRD). The results indicate that the bigger the magnetron sputtering power and the lower the sputtering pressure, the transmittance of the Si thin film near UV region is lower; and the higher the annealing temperature is, the crystallinity is better. Key words: magnetron sputtering; polycrystalline Si thin film; surface morphology; X-ray diffraction(XRD) 0 引 言 硅作为一种成本低、应用最为广泛的半导体材料，它具有良好的电学性质，通过掺杂可以显著改善其电学特性，被广泛应用于超大规模集成电路(VLSI)、半导体桥、晶体管、光电子器件、太阳能电池等产品上[1-3]。此外，由于多晶硅薄膜质地较硬，对近红外光折射率高，也是一种理想的红外光学薄膜材料[4]。 本文利用磁控溅射方法[5]，分别在型号为CAT.No.7101载玻片和氧化硅片上制备多晶Si薄膜。首先按照不同的溅射压强和溅射功率制备多晶Si薄膜，并在不同温度下进行退火；然后用XP-100型台阶仪测量薄膜的厚度，用紫外可见近红外分光光度计观察Si薄膜的光透射率，X射线衍射(XRD)研究退火温度对薄膜结晶性能的影响，最后对工艺参数与薄膜性能间的关系进行了分析。 1 磁控溅射法制备多晶Si薄膜 实验用JGP560型超高真空多靶磁控溅射镀膜仪，分别在型号为CAT.No.7101载玻片和氧化硅片上制备多晶Si薄膜。硅靶的纯度为99.999%，直径60mm，厚度6mm；溅射用的Ar气纯度为99.999%。氧化硅片的氧化层厚度约为300nm。实验前氧化硅片需要进行清洗，清洗步骤为：先用脱脂棉蘸取无水乙醇擦拭表面，然后在丙酮中超声清洗15 min；然后在无水乙醇中清洗15 min；最后在去离子水中超声清洗15 min；清洗完成后放进干燥箱中干燥。 当真空室本底真空度达到6×10-4pa后，通入Ar气。溅射时的溅射功率分别为100W、150W，溅射压强为1pa、2pa、3pa(1Pa、2 Pa 、3 Pa)(1Pa、2 Pa 、3 Pa)1Pa、2 Pa 、3 Pa (a)150W 1Pa (b)150W 2Pa (c)150W 3Pa (d)100W 1Pa 图3 未退火时不同溅射功率和压强下薄膜表面形貌 2.4 退火温度对薄膜表面形貌的影响 将在溅射功率150W、压强1Pa、时间30min条件下制备的多晶Si薄膜在Ar气氛下进行退火，薄膜表面形貌如图4所示，退火时间2h，退火温度(a)未退火、(b)1000℃、(c)1100℃、(d)1200℃。图中(a)、(b)、(c)、(d)薄膜所对应的平均粗糙度分