半导体物理与5总汇.ppt

5.4.1 构造及工作原理 n沟道MOSFET的结构示意图，它是一个四端器件，在p型衬底上制备的两个n+区分别称为源区和漏区，氧化层上的金属接触称为栅极。重掺杂多晶硅或硅化物(如MoSi2)和多晶硅的混合都可作为栅极。MOSFET基本的工艺结构参数包括沟道长度L,沟道宽度Z，氧化层厚度d，结深rj和衬底掺杂浓度NA. 图中所示的中间部分与以前所讨论的MOS结构相对应。 n沟道MOSFET示意图 G S D D G S n沟道和p沟道增强型MOSFET符号 金属铝 导电沟道 P型衬底 两个N+区 以N沟道增强型MOSFET为例： 以源极(S)接地作为其它各点电压的参照。当栅极电压为零时，从源极至漏极(D)相当于两个背对背连接的pn结，能从源流向漏的唯一电流是反向漏电流。 P N+ N+ G S D VD VG ID=0 对应于截止区 ID VD 线性 MOSFET的工作机制及输出I-V特性 a:低漏电压时; 外加于栅极的电压VG足够大时，感应出电子，使半导体表面反型(VGVT)，使两个 n+区之间有了一个反型层构成的沟道。 同时在漏极加一很小的电压 (VD)，于是有电子从源通过沟道流向漏(即有电流从漏流向源)。由于此时沟道宽度基本均匀，起电阻作用，因此漏电流ID随VD线性