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2017-03-29 发布于北京
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9—2空腔导体内外的静电场

* * 一、空腔导体内外的电荷分布 §9.2 空腔导体内外的静电场空腔内部没有带电体（静电平衡时）电荷只分布在导体外表面上，内表面无电荷。【演示实验】空心导体静电平衡分析依据 Ei=0，Es垂直导体表面 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 【思考】移动腔内带电体或改变腔内带电体电量，是否影响内、外表面电荷分布？由导体内场强为零和高斯定理：内表面带与腔内带电体等量异号电荷-q，外表面等量电荷q。空腔内部有带电体（静电平衡时） Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 【思考题解答】移动金属腔内带电体，不影响外表面电荷分布，只影响内表面电荷分布；改变腔内带电体的电量，影响内、外表面电荷分布。 + + + + + + + + + + + + + + + + 带电体 S Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 二、静电屏蔽空腔导体内外的静电场分析空腔内无带电体无论腔外带电体如何变化，导体内部和空腔处电场处处为0，不受外界影响，腔外场强有腔外表面电荷和腔外带电体共同决定。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 空腔内有带电体以下重点分析腔内有带电体情况 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 1、空腔不接地 Qin Qout -Qin Qin S 等势体腔外空间的边值条件： Qin 、Qout 腔内空间的边值条件： Qin 、 – Qin 腔外Qout位置和数量变化，不改变腔内空间的边值条件，因此，不改变腔内空间电场分布。腔内Qin位置变化，不改变腔外空间电场分布。但腔内Qin数值变化，改变腔外表面电荷Qin，因此，将改变腔外空间的电场分布！ Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2、空腔接地腔内边值条件： Qin 、V=0 腔外边值条件： Qout 、V=0 腔外Qout位置和数量变化，不改变腔内空间的边值条件，因此，不改变腔内空间电场分布。腔内Qin位置和数量变化，不改变腔外空间电场分布。 Qin Qout VS=0 S V=0 -Qin Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 不论导体壳是否接地，壳内电场都不受壳外电荷位置和数量变化的影响，壳外电场也不受壳内电荷位置变化的影响。但为了使壳外电场不受壳内电荷数量变化的影响，导体壳必须接地。静电屏蔽一个接地的封闭金属壳（空腔），可以起到壳（腔）内外互不影响的屏蔽作用。总结 Qin Qout VS=0 S V=0 -Qin Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 静电屏蔽的应用金属表面对电磁波有很强的反射作用，反射系数几乎是1。所以封闭的金属导体壳可以完全屏蔽电磁波。电磁波进入导体的深度称为“穿透深度”，它正比于，高频电磁波的穿透深度很小，很快衰竭。 3、电磁波的屏蔽