离子辅助反应蒸发技术室温制备ITO薄膜.pdfVIP

第27卷第10期 北京理￡大学学搬 VoI 27 No．10 i!銎!兰!!篓 三堡!篓!!!竺型塞!!!§!!窒!!：!!!塑!!!堡坚 窒!：垒篓i 文章编号：1001．0645(20()7)10。0924—04 离子辅助反应蒸发技术室温制备ITo薄膜 嗡恚农， 稿龙锋， 簿唯， 至华清， 卢维莲 (北京理工大学恪患科学技术学院光电工程系．北京 100【)81) 摘要：室漩下囊露离子辘赫反应蒸发法谯玻璃事重瘫上裁备高透射魄、糕逛鞋睾瓣lto透甓导壤薄膜。实鹱终聚 寝髓离子辅助蒸发可以有救地降低制备温度．提高薄骥辩光电特性，薄膜具有弱显盼(222)择优墩向，晶俸粒子尺 寸约为2l nm；离子源屏压、斌氧量及沉积速率是影响薄脱光电特性的主要因素嶷温制备的IT()薄膜电阻举为 2．4xlO。3n-cm．可见光平均透射比大于82％． 关键词：离子糍鼗反壹蒸裳援术；室温；}∞薄膜 中囝分类号：0484．4 文献标识码：A preparation of重TO彗瓣ms peposi耄ed魏童Roo狲霉empera砉班‘e by Ion Beam·Assisted Reactive Evaporation YU Zhi—nong， X{ANG L。麟一feng， XU嚣Wei，WANG H瑚一qi嘴， LU Wei—qiang (DeparHnenI硝Optical Engineering，h。。l d Infomati。n Science and Technol叼，Be啦ng Institute。f Tecll工101。gy Be日ing 10008l，China) Abstract：IT()films with h培h transmissIon and 10w resisti“ty have been prepa他d on西ass substrate by ion beam—assisted reactive evaporat|on at r00m temperature．Experimental results 8howed that the de∞越暾}n temperature can挺decrea糟d effectively and the phot。electrIc pfoperties can be impr。v砖。 The dep。sited棚ms afe嘲ycrysta重iine wi谯a preferfed orientation of(222)and the size of crystal particle is about 21 nm．Oxygen flux，evaporation rate and‰energy are the chieffactors that“fect the optofelectric properties《ITO f；lms．F．1ms with a res融ivity as low艄2，4×10q n’cm and the tfansmittance of ab。ve 82舄in t沁vi鞋ble range baVeen dep。匹ted越}o。m tempe}撤Hre． Key words：i。n beam一蹦sisted reactideposition；r∞m temperature；ITO films lT0薄膜是一耱宽禁带、n型掺杂拳攀俸耱辫， 由于ITO薄膜在可见光区具有高的光谱透射比，耐 时具钶良好的电学性能而被广泛地应用于各种光电 器件申。铡鲣：0∞、TF￡L等乎捉显示嚣{孛，太阳 熊电池和灵巧窗等壳‘面．捌糟I“)薄骥对红纤线有 很高的反射比，用来制备防辎射玻璃．利用其在射 频区弼樽具有很离的反射能力，甩来作为优良的电 磁群蔽材辑”j． 娶瓣对予lTO薄膜舂镬多耱羽簧方法悖o，铡 如溅射、熊空蒸发和化学气相沉积等．在耐高温的玻 璃基片上高温加热(250～300℃)或高温处理能够 裁备出嵩露冕光透瓣毙(90％、抵电阻率的l’r0薄 膜．然而对于一些乎板显示器件，iT()岱须在低温 下制备，例如在彩色滤色片上制备IT()薄膜，由于 滤色片材料为树鹏。耐热性比较差。一般臻求低于 200℃+警渲撬不解离温的右税骧璃或柔髋材辩{乍 收椭日期；2㈣7一115一l(’ 基盎项垦：北袁}§蜜然鞋学基金鞋肋疆鞋《鲫6掷22)i』￡京瑾￡^=学优秀青年教师资助洼螂∞ses52)；北袁魏曙太学基础酶宪蘩鱼资鼬项 蟊{2Ⅸ垮i}lF42∞) 作者简介：喻志表(196s一)，男．副教授，E．mali；z坩u@bm e山㈨ 万方数据 第l【】期 喻志农等：离子辅助反应蒸发技术室温制备ITo薄膜 衬底时，不可以使用高温沉积IT()膜，如制备非晶 TFT有源I，cD，()I正D时，必须在低温下制