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第 4 章高频振荡电路
复旦大学电子工程系 陈光梦
高频电路基础
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高频电路基础
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反馈振荡器原理
平衡条件:
起振条件:
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高频电路基础
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稳定条件
上电后,由于T 1,系统将自动起振。
当由于某种原因使得 vo脱离平衡点时,稳定条件使得系统可以恢复。
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高频电路基础
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高频电路基础
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互感耦合型LC振荡器电路
利用电感耦合构成反馈,反馈极性与两个电感的同名端接法有关
根据谐振回路位于晶体管的哪个电极,有调集、调发、调基等不同接法
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高频电路基础
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起振阶段信号很小,可以用小信号等效模型分析。
起振条件分析
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高频电路基础
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假设Z21为纯电阻,令实部为0,有
谐振频率:
令
令虚部为0,有
起振条件:
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谐振频率:
令
起振条件:
其中 为有载品质因数
很小时,
(无耗近似)
当互感为紧耦合(变压器)时,起振条件演变为
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互感耦合型LC振荡器的平衡状态分析
从理论上说,振荡器平衡的振幅条件是 ,但是实际上上述公式很难应用。
对于振荡器来说,由于起振时信号幅度很小,所以尚可以用晶体管小信号模型讨论。但是到了稳幅阶段,信号幅度已经大到可以使晶体管进入强烈的非线性区,增益开始急剧下降,导致振荡幅度增加趋势减小,最终达到动态平衡。
由于严格讨论晶体管进入非线性区后的增益是困难的,所以实用上一般都采用实验、图解等方法。这里我们从振荡器的工作状态入手,给出一些一般性的定性讨论结果:
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在右图电路中,基极的静态(直流)电位基本上是固定的,反馈电压在静态电位上下波动。
由于晶体管的非线性,随着反馈电压幅度增加集电极电流开始不对称。
反馈电压幅度继续增加,则Vbe的负半周进入截止区,集电极电流出现截止,晶体管进入C类放大状态。
振荡器进入C类放大状态后,导通角变得极小,激励电流中的基频分量急剧下降,导致增益急剧下降,最后达到动态平衡,振荡器就进入稳定状态。
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另外,在这个电路中,由于不对称的集电极电流同时流过发射极,在发射极电容上造成一个附加偏置电压(上正下负)。这个附加的偏置电压是抵消静态偏置电压的,当电路起振后,晶体管的直流电流会减小,所以会加快晶体管的工作状态由A类向C类转变的过程。
需要说明的是,即使没有发射极电容,晶体管也会进入C类放大状态。振荡器的平衡主要是由于晶体管进入C类放大状态后的增益变化造成的。
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三点式振荡器
一般构成法则:
1、在谐振频率上,
必有 X1+X2+X3=0
2、由于晶体管的 vb 与 vc 反相,而根据振荡器的振荡条件 |T|=1,要求vbe =-k vce ,即 i X1 = i X2,所以要求 X1 与 X2 为同性质的电抗。
综合上述两个条件,可以得到晶体管 LC 振荡器的一般构成法则如下:在发射极上连接的两个电抗为同性质电抗,另一个为异性质电抗。
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电容三点式振荡器(Colpitts 电路)
原理电路
实际电路
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求T(jw)的等效电路
晶体管 LC谐振回路
小信号等效模型分析。
下图的模型中忽略晶体管的基极电阻rbb′,也忽略晶体管反向传输系数。
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在LC回路谐振点附近有
起振条件为
或
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相位平衡条件为 ,即
若忽略晶体管的相移,此式等效于
所以振荡频率为
实际振荡频率略高于上述计算值
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例
电容三点式振荡器,已知 RE =1kW, C1 =110pF, C2 =130pF, L = 440nH, Q0=220。晶体管参数: Cb’c =2pF, Cb’e=97pF, rc ≈20MW。 试求振荡频率以及起振时的集电极电流。
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电容三点式振荡器的另一种接法
与前面接法的区别在于:晶体管射极交流接地。由于此接法需要高频扼流圈,在实际使用中较少采用此电路。
由于电路交流结构与基极接地电路一致,所以有关起振条件和振荡频率等分析过程以及分析结果与基极接地电路一致。
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