网站大量收购闲置独家精品文档,联系QQ:2885784924

半导体存储器原理实验.docVIP

  1. 1、本文档共3页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  5. 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  6. 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  7. 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  8. 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
半导体存储器原理实验

计算机学院 学院 计算机科学与技术专业 班______组、 学号 姓名 协作者___________ 教师评定_____________ 实验题目_半导体存储器原理实验_______________________ 实验目的与要求: 目的: 掌握静态存储器的工作特性及使用方法。 掌握半导体随即存储器如何存储和读取数据 要求: 1.按练习完成相应的操作,并填写表2.1各控制端的状态及记录表2.2的写入和读出操作过程。 实验方案: (1)看存储器实验原理图,并理解原理图 (2)先检查电源是否开。确认电源关后开始接线。 (3)接完线后,检查是否接错。 (4)检查完毕并确认没有错误后,开始操作。 (1)向存储器单元写入数据,按照书上P29页的步骤写入数据。 向存储址单元写入数 (2)做写内容操作(将数据写入指定的地址单元),把数址单元。 (3)读出存储器单元内容。 (5)进行结果测试,操作练习一以及练习二。 实验结果和数据处理: 表2.1 控制信号 写地址 写内容 读内容 SW-B 0 0 1 LDAR 1 0 0/1 CE 1 0-1 0 WE 0/1 1-0 0 结论 结合控制信号SW-B,LDAR,CE,WE能够完成向存储器写入数据和读出数据 2.在输入数据时,不能连续输完地址后再输入内容。即要先写完第一个地址,然后向第一个地址输入地址单元写内容。再写第二个地址。读操作是先写第一个地址,然后读出第一个地址单元的内容。再写第二个地址。 问题与讨论及实验总结 (1)存储器在写操作和读操作的过程中为什么都要先完成写地址操作。 答:在写操作中先完成写地址操作是为了能把数据写到指定的存储单元,从而能使数据不会杂乱。而读操作中写入地址是为了根据地址找内容并读出所要的内容。 (2)写地址的操作完成后,在做写内容操作时,为什么要关闭LDAR? 答:因为LDAR是地址寄存器AR存数控制信号。 (3)存储器读操作需要T3脉冲吗? 答:不需要。 (4)在完成上面练习题操作中,能否先连续输入所有的地址,再连续的输入所有的内容或连续读出所有的内容,为什么? 答:不行。如果先连续输入所有地址再连续输入所有内容,那么会在输入内容的时候出现数据不知道储存在哪个单元。从而使数据杂乱无章。连续读内容也一样,系统不知道该在哪个时候读出哪个数据。 总结:认识到半导体随机存储器的操作以及读取数据操作和原理。 思考选择题:(单选题) 1、( A )  2、( B  )  3、( A )   4、( B )  5、( B )   6 、( B )

文档评论(0)

panguoxiang + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档