实验—静态存储器写读.docVIP

实验报告 专业：计算机科学与技术 班级：计算机科学与技术（1）班 学号：201024131147 姓名：赵倩倩 课程名称：计算机组成原理 学年：2010—2011 学期1 课程类别：专业必修 试验时间：2011年10月17日  试验名称 静态随机存储实验 实验目的： 掌握静态随机存储器RAM工作特性及数据的读写方法。 实验要求：按设计研练习的要求输入数据和完成相应的操作，并记录下实验报告，以作分析总结。 实验硬件要求 1.实验设备 TDN－CM＋＋计算机组成原理教学实验系统一台，排线若干。 PC机一台。 2.实验内部要求：6116构成静态存储器经数据线至总线，数据开关经三态门连至数据总线，地址寄存器8位，另加三个控制线。 实验内容方法和步骤 实验原理 1.实验所用的半导体静态存储器电路原理如下图所示，实验中的静态存储器由一片6116(2K×8)芯片构成，其数据线接至数据总线，地址线由地址锁存器(74LS273)给出。地址灯AD0--AD7与地址线相连，显示地址线状况。数据开关经一三态门(74LS245)连至数据总线，分时给出地址和数据。 图3.6-1 存储器实验原理图 因地址寄存器为8位，所以接入6116芯片的地址A7—A0，而高三位A8—A10接地，所以其实际容量为256字节。6116芯片有三个控制线：CE(片选线)、OE(读线)、WE(写线)。当片选有效(CE=0)时，OE=0时进行读操作，WE=0时进行写操作。本实验中将OE常接地，在此情况下，当CE=0、WE=0时进行读操作，CE=0、WE=1时进行写操作，其写时间与T3脉冲宽度一致。 实验时将T3脉冲接至实验板上时序电路模块的TS3相应插孔中，其脉冲宽度可调，其它电平控制信号由“SWITCH UNIT”单元的二进制开关模拟，其中SW-B为低电平有效，LDAR为高电平有效。 实验内容： 1.向存储器中指定的地址单元输入数据，地址先输入存储器，在地址灯上显示，再将数据送入总先后，存到指定的存储单元，数据在数据显示灯和数码显示管显示。 2.从存储中指定的地址单元读出数据，地址先输入AR寄存器，在地址灯显示，读出的数据送入总线，通过数据显示灯和数码显示管显示。 实验步骤 按下图连接实验线路，仔细查线无误后，接通电源。由于存储器模块内部的连线已经接好，因此只需完成实验电路的形成、控制信号模拟开关、时钟脉冲信号T3与存储模块的外部连接。 静态随机存储器实验连接图 写存储器 1.向地址寄存器AR输地址 (以向00号单元写入11H为例) SW-B=0 从输入开关输入: 0 0 0 0 0 0 0 0 打开输入三态门：SW-B=0 将地址入地址锁存器中：LDAR=1 按ATART发T3脉冲 SW-B=1 从输入开关输入：0 0 0 1 0 0 0 1 打开三态门：SW-B=0 关闭地址寄存器:LDAR=0 将数据写入数据单元：CE=0 WE=1 按START发T3脉冲 输入数据在数码个管上显示：LED-B=0 发W/R脉冲 2.输入要存放的数据11 写存储器流程图 读存储器（以从00号单元读出11H数据为例） 设置： SW-B=0 禁止存储器读出：CE=1 从输入开关输入：0 0 0 0 0 0 0 0 打开输入三态门：SW-B=0 将地址打入地址锁存器中：LDAR=1 按START发T3脉冲 关闭输入三态门：SW=B=1 关闭地址寄存器：LDAR=0 从存储器中读出数据：CE=0 WE=0 数据在数码显示管显示：LED-B=0 发W/R脉冲 读存储器流程图 4.按（2）(3)的步骤依次向存储器地址送入和读出以下地址和数据 地址 01 02 03 04 数据 实验结果均按照步骤科学实行，按实验要求先输入地址数据 地址灯显示与输入地址一样，输入存放数据与显示码一致。 读出数据时，数据显示管，地址显示灯一致。 小结 在实验操作前。要先了解静态随机存储器的基本原理 做读操作时，同样要向写操作一样，先写地址，实验写信号为CE=0，WE=1;其读信号为CE=0.WE=0. 实验操作时，要严格按照步骤进行，连接电路线图时利用参照实验装置效率很高，但是要认真对待，不会的地方要及时请教老师。 要加强和同学的关系认真合作，及时记下实验结果。