模拟电路演示课件第1章节.pptVIP

模拟电子电路 模拟电子技术 电子科学与工程学院 黄丽亚 考试成绩评定 平时 10% 期中 20% 期末 70% 1-1-2 杂质半导体（掺杂半导体） 在本征半导体中掺入微量的元素（称为杂质），会使其导电性能发生显著变化。————杂质半导体。 根据掺入杂质的不同，杂质半导体可分为N型半导体和P型半导体。 一、N型半导体 三、杂质半导体的载流子浓度 多子的浓度 在杂质半导体中，杂质原子所提供的多子数远大于本征激发的载流子数。 结论：多子的浓度主要由掺杂浓度决定。 小结 1.本征半导体通过掺杂，可以大大改变半导体内载流子的浓度，并使一种载流子多，另一种载流子少。 2.多子浓度主要取决于杂质的含量，它与温度几乎无关；少子的浓度则主要与本征激发有关，因而它的浓度与温度有十分密切的关系。 1-2 PN结 PN结是半导体器件的核心，可以构成一个二极管。 PN结加正向电压 外加的正向电压大部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。 内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响。 PN结呈现低阻性，有较大的正偏电流。 PN结加反向电压 外加的反向电压大部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。 内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流。 PN结呈现高阻性。 在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。 击穿的可逆性 电击穿是 可逆的（可恢复，当有限流电阻时）。 电击穿后如无限流措施，将发生热击穿现象。 热击穿会破坏PN结结构（烧坏） 热击穿是 不可逆 的。 一、直流电阻 图1-15 二极管电阻的几何意义 ID UD Q1 RD=UD / ID i u 0 Q2 (a)直流电阻RD 定义：是二极管所加直流电压UD与所流过直流电流ID之比。 1-3-2 二极管的主要参数 正向电阻：几百欧姆； 反向电阻：几百千欧姆； Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 二 、交流电阻 二极管在其工作状态(I DQ, UDQ)下的电压微变量与电流微变量之比。 i u 0 Q ?i ?u (b)交流电阻rD rD 的几何意义:Q(IDQ, UDQ)点处切线斜率的倒数。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 二 、交流电阻 i u 0 Q ?i ?u (b)交流电阻rD Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 例：已知D为Si二极管，流过D的直流电流ID=10mA，交流电压?U=10mV，求室温下流过D的交流电流?I=? 10V D R 0.93KΩ ?U ID 解：交流电阻 交流电流为： Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 掺入杂 质对本征半导体的导电性有很大 的影响，一些典型的数据如下: 1、T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n = p =1.4×1010/cm3 3、本征硅的原子浓度: 4.96×1022/cm3 以上三个浓度基本上依次相差106/cm3 。 2、掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度: n=5×1016/cm3 杂质对半导体导电