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湖北大学模拟电路演示课件01.pptVIP

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湖北大学模拟电路演示课件01

6. 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC 流过三极管, 所发出的焦耳 热为: PC =ICUCE 必定导致结温 上升,所以PC 有限制。 PC?PCM IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. §1.4 场效应晶体管 场效应管与双极型晶体管不同,它是多子导电,输入阻抗高,温度稳定性好。 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS 场效应管有两种: Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. N 基底 :N型半导体 P P 两边是P区 G(栅极) S源极 D漏极 一、结构 1.4.1 结型场效应管: 导电沟道 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. N P P G(栅极) S源极 D漏极 N沟道结型场效应管 D G S D G S Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. P N N G(栅极) S源极 D漏极 P沟道结型场效应管 D G S D G S Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 二、工作原理(以P沟道为例) UDS=0V时 P G S D UDS UGS N N N N ID PN结反偏,UGS越大则耗尽区越宽,导电沟道越窄。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. P G S D UDS UGS N N ID UDS=0V时 N N UGS越大耗尽区越宽,沟道越窄,电阻越大。 但当UGS较小时,耗尽区宽度有限,存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. P G S D UDS UGS N N UDS=0时 UGS达到一定值时(夹断电压VP),耗尽区碰到一起,DS间被夹断,这时,即使UDS ? 0V,漏极电流ID=0A。 ID Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. P G S D UDS UGS UGSVp且UDS0、UGDVP时耗尽区的形状 N N 越靠近漏端,PN结反压越大 ID Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. P G S D UDS UGS UGSVp且UDS较大时UGDVP时耗尽区的形状 N N 沟道中仍是电阻特性,但是是非线性电阻。 ID Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2) 二极管的极间电容 二极管的两极之间有电容,此电容由两部分组成:势垒电容CB和扩散电容CD。 势垒电容:势垒区是积累空间电荷的区域,当电压变化时,就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化

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