材料表面与界面(ppt)讲述.ppt

—晶界第二相第二相β与两基体相α的晶粒间形成θ二面角。平衡条件下有关系： γαα为α相间的界面张力；γαβ为α相和β相间的界面张力。 二面角的界面张力平衡 θ大小与第二相形貌：γαα＜＜γαβ，θ =180°，完全不浸润，β球形；γαα = γαβ， θ = 120°，β呈双球冠形；γαα = 2γαβ，θ = 0°， 浸润，β铺展。 —晶角第二相3个α晶和1个β晶的情况。若界面张力γααβ相等，得X 角也相等。角X、Y 和二面角δ有关系： 方程图像与形貌：δ=180°，X =120°，Y=90°，β相呈球形；δ=120°, X = Y =109.5°， β相曲面四面体(a)；δ=60°, Y→180°，X→0°，β相沿晶棱渗透(b)。δ=0 ， β相沿晶界扩展。 功能陶瓷表面与界面效应：1）敏感性能2）介电性能3）光电性能4）化学性能结构陶瓷的晶界工程：1）蠕变、超塑性与晶体结构、工艺、使用性能。2）晶界偏析、晶界分相与烧结、显微结构形成。3）晶界特征与力学性能、加工性能、连接性能。 关于第二定律的说明：1）非稳态扩散；2）当Co=0和 时，得 ， 通常将 对应距离 记为扩散质 点在时间t的扩散深度；3）由此解D更容易些。 关于扩散的几个要点：1）空位扩散是微观解释的主要机制（包括空 位、填隙及原子团换位）；2）本质是一种布朗运动，故温度是主要影响 因素之一。热能使缺陷形成、格点热振动 和空位势垒跃迁；3）扩散系数公式中的激活能E（或Q包括缺陷 形成能和势垒跃迁能；4）扩散系数D和迁移率μ满足Einstein关系： 5）表面扩散、晶界扩散和晶内扩散的比较： 激活能： 振动频率： 跃迁距离：  扩散系数： 6）D与晶粒尺寸d的关系： d下降，GB份额上升，D增大。 v 4.5 晶界应力实际过程中由冷热的变化会在界面产生应力，有时引起晶界微断裂甚至破坏。根据边界条件不同，热应力计算式：两端固定时，平面应力时，球心应力时，平面应变时， 层状结构的晶界应力 层状模型晶界应力的形成 层状复合模型的晶界应力：设两材料膨胀系数为α1 和α2 ；弹性模量为E1 和E2 ；泊松比为ν1 和ν2 。两材料的膨胀应变 ?1 ＝α1ΔT ， ?2 =α2ΔT ， （ΔT = T – T0 , ?1 ≠ ?2 ) 。复合体取中间应变量?。设二相应力分别为σ1、σ2 ，V1 、V2 为体积分数，则平衡关系： 如果 El＝E2 ，ν1＝ν2 ，Δα＝α2 –α1 ，则第一相的应力： 合力σ1 A1+σ2 A2 产生的平均晶界剪应力： l：层状物的长度；d ：层厚度；V ：体积。 对E、ν、V 一定，上式可写为：界面应力与两相的α，E之差及粒径比，界面分布状态有关。 4.6 晶界电势和空间电荷基本概念—在热力学平衡条件下，离子晶体的表面与界面因存在同号过剩离子而带电荷，且这种电荷将被边界附近的异号电荷所补偿，形成空间电荷层（Debye Layer） 。 成因—本征缺陷情况：由边界上的正、负离子空位或填隙的形成能不同所造成。非本征缺陷情况：不等价溶质存在，改变点阵缺陷浓度。特征—非本征性缺陷类型所产生的晶界电势一般为零点几伏，空间电荷层的厚度约2-10nm。 —本征晶界电势在晶体内部，正负离子空位的浓度（N+和N－）取决于其本征空位形成能（E+和E－）和该点上的静电势 ：式中N为晶体中的总离子数。足够远处电中性要求N+ =N－，故空位浓度可由空位形成能的总和（E+ +E－）决定： 运算上三式，得静电势： 从晶界到晶体内部的有限距离上，Debye Layer中的静电势是垂直晶界距离x的函数，满足泊松方程： 纯NaCl的GB空间电荷 空间电荷区的宽度可近似写为： 晶界上的表面电荷密度：  对肖特基缺陷为主的NaCl，E+ =0.65ev，E－ =1.21ev，得：边界电荷为正离子过