第6章常用电子元件总结.pptVIP

下一页 总目录 章目录 返回 上一页 6.常用电子元件 3 晶体三极管 4 场效应管 2 二极管（稳压二极管） 1 半导体基本知识 6.1 半导体基本知识 导体、半导体、绝缘体 6.1.1 本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。（硅和锗） 晶体中原子的排列方式 硅单晶中的共价健结构 共价健 Si Si Si Si 价电子 6.1.3 PN结及单向导电性 PN结的形成（空间电荷区- PN 结） 多子的扩散运动 内电场 少子的漂移运动 浓度差 P 型半导体 N 型半导体 内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。 扩散的结果使空间电荷区变宽。 扩散和漂移达到动态平衡，空间电荷区的厚度不变。 *浓度差-扩散 内电场-漂移 － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + － － － － － － － － 动画 形成空间电荷区 PN结的单向导电性 1. PN 结加正向电压（正向偏置） PN 结变窄 P接正、N接负 外电场 IF 内电场被削弱，多子扩散加强，形成较大扩散电流。 PN 结加正向电压，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。 内电场 P N － － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + 动画 + – 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 外电场 P接负、N接正 内电场 P N + + + － － － － － － + + + + + + + + + － － － － － － － － － + + + + + + － － － – + 6.2.2 伏安特性 硅管0.5V,锗管0.1V。 反向击穿 电压U(BR) 导通压降 外加电压大于死区电压二极管才能导通。 外加电压大于反向击穿电压二极管击穿，失去单向导电性。 反向特性 硅0.6~0.7V锗0.2~0.3V U I 死区电压 P N + – P N – + 反向电流 在一定电压 范围内保持 常数。 6.2 半导体二极管 6.2.4 特殊二极管 1.1 符号 UZ IZ IZM ? UZ ? IZ 1.2 伏安特性 稳压管正常工作时加反向电压 使用时要加限流电阻 反向击穿，电流变化大，电压变化小-稳压作用。 _ + U I O 1.稳压二极管 6.3 半导体三极管 6.3.1 基本结构 N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 B E C B E C PNP型 P P N 基极 发射极 集电极 符号： B E C IB IE IC B E C IB IE IC NPN型三极管 PNP型三极管 6.3.2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 B E C N N P EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 1. 输入特性 特点:非线性 死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6~0.7V PNP型锗管 UBE ? ?0.2 ~ ? 0.3V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V O 2. 输出特性 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 放大区 输出特性曲线通常分三个工作区： (1) 放大区（线性区） 在放大区有 IC=? IB ，具有恒流特性。 发射结正向偏置、 集电结反向偏置， 晶体管工作于放大状态。 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O （2）截止区 IB 0 以下区域为截止区，有 IC ? 0 。 发射结反偏，集电结反偏，晶体管工作于截止状态。 饱和区 截止区 （3）饱和区 当UCE? UBE时，晶体管工作于饱和状态。 ?IB ?IC，发射结正偏，集电结正偏。 深度饱和时， 硅管UCE