实验三凝聚态物理电磁性质的研究.doc

实验八 高分子软物质多相体系的制备、界面和纳米自由体积的正电子研究 实验目的 正电子湮没技术是现代新兴核技术，它已被广泛地使用于材料科学研究中，是探测材料中纳米尺度微结构的灵敏探针。材料的微结构对其宏观性能有重要影响，因此材料的微结构探测具有重要意义。通过本实验课程的学习，使学生掌握正电子湮没技术的基本原理及数据分析，基本实验方法和技术，并能运用它们研究高分子软物质多相体系中各种缺陷及其界面特性。提高学生实验动手能力，为培养有创新能力的高质量材料物理人才打下坚实基础。 教学要求 1. 掌握正电子湮没技术的基本原理 正电子湮没谱学是研究正电子与凝聚态物质的相互作用，正电子湮没技术是测量基于量子电动力学中爱因斯坦质能关系及正反物质的湮没所放出的(射线来确定正电子注入到物质中后的寿命，通过测量正电子寿命来探测物质的微观结构。掌握正电子湮没技术的基本原理是本实验的基础。 2. 掌握正电子湮没寿命测量技术 掌握正电子湮没寿命测量技术，包括正电子湮没寿命谱仪的初步调试和数据分析。 3。高分子软物质多相体系样品制备 掌握共混或共聚或复合材料的制备方法。 4．相关计算及结构分析 根据正电子湮没寿命测量结果和数据分析结果分析界面特性，计算自由体积的大小。 实验内容与学时分配 实验内容与学时分配表（总学时:36） 内 容 学 时 正电子湮没技术的基本原理 正电子谱学的原理 6 正电子湮没寿命谱的解谱与分析 2 (射线与物质的相互作用 2 正电子湮没寿命谱仪的调试 2 高分子软物质多相体系样品制备 共混、共聚样品制备 8 或 纳米复合材料品制备及X-Ray测量 8 样品正电子湮没寿命测量 样品正电子湮没寿命测量 4 编程及自由体积的计算，界面特性分析 编程及自由体积的计算 4 图形处理及结果分析 4 实验原理 正电子谱学是研究正电子与凝聚态物质的相互作用。正电子是电子的反粒子，是人类发现的第一个反物质。正电子的质量与电荷量均与电子相同，但它所带电荷号为正，正好与电子相反。正电子谱学主要研究低能（MeV以下）正电子与物质的相互作用。当正电子进入物质后，遇电子会发生湮没而射特征γ 射线，这是质量转化为能量的典型例证。利用现代核谱学方法可精确测量正电子和正电子素的湮没寿命谱及湮没辐射能谱等重要参数，从而可得到有关物质微观结构的有用信息。 实验用的正电子放射源为22Na缺中子同位素，如上图所示，它的半衰期为2.6年。 正电子与电子的湮没服从量子电动力学及能量和动量必须守恒原理。当正电子速度v远小于光速C, 即vc时，正负电子质量之和为1.022 MeV，湮没对的动量几乎为零。原则上，在正电子湮没事件中可产生任意数量的光子，但考虑到能量与动量守恒，只有二光子湮没几率最大。当正电子与电子的相对速度v远小于光速c时，狄拉克证明单位时间内发生双光子湮没几率λ（亦称正电子湮没率）为 这里＝2.8×10-15m是经典电子半径，c为光速，ne是正电子湮没处的电子密度。理论计算表明，材料中正电子寿命（湮没率的倒数）决定于正负电子波函数的交叠，即 可见正电子湮没率与ne成正比，正电子是探测物质中电子密度分布的灵敏探针。不管用什么方法（包括共混、共聚、掺杂、温度、压力、应变等）引起材料中电子密度的变化，正电子方法都能探测。 当具有一定能量的正电子射入固态物质后，由于正电子带正电，故在固体中正电子受到同样带正电原子实的强烈排斥。正电子通过与原子实以及电子的非弹性碰撞而很快损失动能，在约1-3个皮秒（ps）内慢化到热能。热化后正电子能量为3/2kT，室温下为0.025eV。热化后的正电子在固体中扩散，在扩散过程中会与电子发生自由湮没，也可能被一个空位型缺陷捕获而后湮没。 在高分子软物质的聚集态结构特点是具有晶区与非晶区同时共有的特殊结构，即有两相结构。每一高分子链可以贯穿几个晶区与非晶区，晶区的分子链形成折叠的片晶结构，高分子链不仅在一个晶片中折叠，还可以在一个晶片中折叠一部分后又伸出晶面到另一晶片中折叠。 由于聚合物结构的复杂性和多变性，使得正电子在其中的湮没行为比在金属与晶体中要复杂得多，理论计算和实验观测表明，在聚合物正电子除了直接和电子湮没之外，还有一个最显著的特征，即正电子和聚合物中的电子相结合可以形成正电子素（positronium，简写为Ps）而后湮没，它是一种类似氢原子的最简单的亚稳态原子。聚合物中正电子素形成机理可以用自由体积模型(free volume解释)。根据自由体积理论，把形成Ps的自由体积看成小空洞，空洞数目越多，则形成Ps概率越大; 空洞越大，空洞内的电子密度愈低，Ps的寿命越长。形成Ps的正负电子