第二讲电力电子器件1导论.pptVIP

2.2.4 电力二极管的主要类型 根据器件的恢复特性可将快速二极管分为快恢复和超快恢复两类。前者称为FRED，反向恢复时间为几百纳秒，应用于开关频率为20～50kHz的场合；后者简称Hiper FRED（Hiper Fast soft Recovery Epitaxial Diode），反向恢复时间在100ns左右，可用于开关频率在50kHz以上的场合。 2.2.4 电力二极管的主要类型 肖特基二极管 以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode—SBD），简称为肖特基二极管 由于N型半导体中存在着大量的电子，而金属中仅有极少量的自由电子，当金属与N型半导体接触后，电子便从浓度高的N型半导体中向浓度低的金属中扩散。随着电子不断从半导体扩散到金属，半导体表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为半导体→金属。但在该电场作用之下，金属中的电子也会产生从金属→半导体的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。 2.2.4 电力二极管的主要类型 当SBD有正向偏置时（即外加电压金属为正、半导体为负），合成势垒高度下降，这将有利于硅中电子向金属转移，从而形成正向电流；相反当SBD反向偏置时，合成势垒高度升高，硅中电子转移比零偏置（无外部电压）时更困难。这种单向导电特性与结型二极管十分相似。 肖特基二极管和结型二极管具有相仿的单向导电性，但其内部物理过程却大不相同，由于金属中无空穴，不存在从金属流向半导体材料的空穴流，即SBD的正向电流仅由多子形成，从而没有结型二极管的少子存储现象，反向恢复时没有抽取反向恢复电荷过程，因此反向恢复时间很短，且与di/dt无关，仅为10～40ns。 肖特基二极管导通压降比普通二极管和快恢复二极管低，有助于降低二极管的导通损耗，提高电路的效率。但其反向耐压在200V以下，因此适用于低电压输出的场合。 合肥工业大学电气工程学院电力电子与电力传动教研组 电 力 电 子 技 术 Power Electronic Technology 第一章 电力电子器件 2.1.1 电力电子器件的概念和特征 主电路（Main Power Circuit）—电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路。 电力电子器件（Power Electronic Device）—可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。 与信息电子器件相比，电力电子器件具有以下几个特征： 1.电力电子器件处理的电功率远大于信息电子器件；故电力电子器件工作于开关状态，相当于电力开关； 2.电力电子器件需要信息电子器件和中间电路构成的驱动电路来控制； 3.需要缓冲电路和保护电路； 4.由于电力电子器件功率损耗较大，为避免因损耗造成的热量使器件损坏，通常要安装散热器。 2.1.1 电力电子器件的概念和特征 2.1.1 电力电子器件的概念和特征 电力电子器件的重要参数：电压和电流 由于电力电子器件处理的电功率较大，为减少本身损耗，电力电子器件一般工作在开关状态。导通时阻抗很小，接近于短路，管压降接近于零；阻断时阻抗很大，接近于断路，电流接近于零。 参数中电压指器件在阻断时所能承受的电压； 参数中电流指器件在导通时所能通过的电流。 例如：某电力电子器件型号为SGH60N80UFD 阻断时所能承受的电压为600V，导通时额定电流为80A 2.1.1 电力电子器件的概念和特征 通态损耗是器件功率损耗的主要成因。 器件开关频率较高时，开关损耗可能成为器件功率损耗的主要因素。 主要损耗 通态损耗 断态损耗 开关损耗 关断损耗 开通损耗 电力电子器件的损耗 2.1.2 应用电力电子器件的系统组成 图1-1 电力电子器件在实际应用中的系统组成 控 制 电 路 检测 电路 驱动 电路 R L 主电路 V 1 V 2 保护电路 在主电路和控制电路中附加一些电路，以保证电力电子器件和整个系统正常可靠运行 电气隔离 控制电路 电力电子系统：由控制电路、驱动电路、保护电路 和以电力电子器件为核心的主电路组成。 2.1.3 电力电子器件的分类 半控型器件 ——通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断。 全控型器件 ——通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断，又称自关断器件。 不可控器件 ——不能用控制信号来控制其通断, 因此也就不需要驱动电路。 按照器件能够被控制电路信号所控制的程度，分为以下三类： 2.1.3 电力电子器件的分