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TiO2微粒对远程荧光粉膜及白光发光二极管器件光色性能的.PDFVIP

TiO2微粒对远程荧光粉膜及白光发光二极管器件光色性能的.PDF

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TiO2微粒对远程荧光粉膜及白光发光二极管器件光色性能的

TiO2微粒对远程荧光粉膜及白光发光二极管器件光色性能的影响 卓宁泽 张娜 李博超 李文铨 何清洋 施丰华 朱月华 邢海东 王海波 Investigation of photo-chromic properties of remote phosphor film and white light emitting diode mixed with TiO2 particles Zhuo Ning-Ze Zhang Na Li Bo-Chao Li Wen-Quan He Qing-Yang Shi Feng-Hua Zhu Yue-Hua Xing Hai-Dong Wang Hai-Bo 引用信息 Citation: Acta Physica Sinica, 65, 058501 (2016) DOI: 10.7498/aps.65.058501 在线阅读View online: /10.7498/aps.65.058501 当期内容View table of contents: /CN/Y2016/V65/I5 您可能感兴趣的其他文章 Articles you may be interested in 利用单层密排的纳米球提高发光二极管的出光效率 Light-extraction enhancement of GaN-based LEDs by closely-packed nanospheres monolayer 物理学报.2015, 64(14): 148502 /10.7498/aps.64.148502 利用温变电容特性测量发光二极管结温的研究 Junction temperature measurement of light-emitting diodes using temperature-dependent capacitance 物理学报.2015, 64(11): 118501 /10.7498/aps.64.118501 晶圆键合和激光剥离工艺对GaN基垂直结构发光二极管芯片残余应力的影响 Effect of wafer bonding and laser liftoff process on residual stress of GaN-based vertical light emitting diode chips 物理学报.2015, 64(2): 028501 /10.7498/aps.64.028501 光致电化学法提高垂直结构发光二极管出光效率的研究 Increase in light extraction efficiency of vertical light emitting diodes by a photo-electro-chemical etching method 物理学报.2015, 64(1): 018501 /10.7498/aps.64.018501 基于反应动力学的GaN LED参数退化模型的研究 The investigation of LED degradation model based on the chemical kinetics 物理学报.2013, 62(21): 218503 /10.7498/aps.62.218503 物 理 学 报 Acta Phys. Sin. Vol. 65, No. 5 (2016) 058501 TiO2微粒对远程荧光粉膜及白光发光二极管器件 光色性能的影响? 卓宁泽1) 张娜1) 李博超2) 李文铨2) 何清洋2) 施丰华1) 朱月华1) 邢海东1) 王海波1)? 1)(南京工业大学电光源材料研究所, 南京 210015) 2)(南京工业大学材料科学与工程学院, 南京 210009) ( 2015年 11月 23日收到; 2015年 12月 9日收到修改稿 ) 利用热压法将TiO2微粒掺入至YAG:Ce荧光粉和硅树脂中制备出远程荧光粉膜并封装成白光发光二极 管 (LED)器件, 通过荧光粉相对亮度仪、双积分球测试系统和可见光光谱分析系统对样品的光色性能及机理 进行了研究. 结果表明: TiO2的散射效应能够显著提高蓝光的利用率和黄光的透射强度, 白光LED器件的光 通量在TiO2浓度为 0.966 g/cm3 时达到最高值 415.28 lm(@300 mA, 9.3 V), 提高了 8.15%, 相关色温从冷白 6900 K逐渐变化至暖白 3832 K. TiO2的掺入不仅提高了远程荧光粉膜的发射强度和白光LED器件的光通 量, 同时能调控其相关色温. 关键词: TiO2微粒, 远程荧光粉膜, 白光发光二极管器件, 光通量 PACS: 85.60.Jb, 78.55.–m, 42.25.Fx DOI: 10.74

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