测控1131班——杨玉东模电题目讲述.doc

测控1131班 模电题目 一、填空题 RC正弦波振荡电路由 放大电路 、 正反馈网络 、 选频网络 和稳幅环节四部分组成。 2、PN结最重要的特性是____单向导电性_____，它是一切半导体器件的基础。 3、半导体三极管按结构可分为___ PNP __型和_ NPN__型二类。 4、?有源滤波器按其工作频率不同可分为 低通 、 高通 、 带通 和 带阻 四种类型。 5、晶体三极管属于 电流 控制器件，而场效应管属于 电压 控制器件。 6、 同相放大电路 和反向放大电路是两种最基本的线性应用电路。 7、同相放大电路中，输出通过负反馈的作用，使Vn自动地跟踪Vp，使Vp≈Vn，这种现象称为 虚短 。 8、当负载电阻R=1kΩ时，电压放大电路输出电压比负载开路（R=∞）时输出电压减少20%，则该放大电路的输出电阻Ro为 250Ω 。 9、根据实际应用所要求的输入信号和输出信号之间的关系，放大电路可分为 电压放大、电流放大、 互阻放大和互导放大 四种类型。 10、在如图所示单电源互补对称电路中，设VCC=12V，RL=8Ω，C的电容量很大，vi为正弦波，在忽略管子饱和压降VCES情况下，该电路的最大输出功率Pom= 2.25W 11、滤波电路用于滤去整流输出电压中的纹波，一般由 电抗 元件组成，如在负载电阻两端并联电容器。 12、二极管正向偏置时，其正向导通电流由? 多数载流子 的扩散运动形成。 13、杂质半导体中的少数载流子浓度取决于 温度 ???? 14、硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于 反向电击穿状态??? 二、选择题 1、差动放大电路的输入电压ui1=10mv,ui2=0mv,它的共模和差模输入电压uic和uid分别是（A）。 A 5mv 10mv B 10mv 5mv C 5mv 5mv D 10mv 10mv 2、在桥式整流电路中，若整流桥中有一个二极管开路，则输出（A ) A 输出电压只有半周波形 B 输出电压仍为全波波形 C 输出电压无波形，且变压器或整流管可能烧坏 D 对电路无实质性影响 3、集成运放的互补输出级采用 (B) A共基接法 B共集接法 C 共射接法 D 差分接法 N型半导体主要是依靠（?A?）导电的半导体。A．电子?B.空穴?C.三价硼元素?D.五价锑元素 某放大器电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12KΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（?C?）A．10KΩ?B.2KΩ?C．4KΩ?D.3KΩ 多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比,其通频带（?B?）A．变宽?B.?变窄?C.?不变?D.?与单级放大电路有关 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与低阻负载间接入（?C?）A．?共发射极电路?B.?共基极电路C.?共集电极电路?D.?共集-共基串联电路 A.饱和状态 B.截止状态 C. 放大状态 D.不确定 9、差分放大电路的差模信号是两个输入信号的（A） A.差 B.和 C.平均值 D.直流分量 10、在一个放大电路中，测得某三极管各极对地的电位为U1=3V，U2=﹣3V，U3=﹣2.7V，则可知该管为（ A ）。 A. PNP锗管 B. NPN硅管 C. NPN锗管 D. PNP硅管 11、放大电路中三极管的发射结正偏、集电结正偏，则三极管处于：（ A ） A.饱和状态 B.截止状态 C. 放大状态 D.不确定 12、放大电路中三极管的发射结反偏、集电结反偏，则三极管处于：（B ） A.饱和状态 B.截止状态 C. 放大状态 D.不确定 13、通过测量得到电路中三极管的发射结正偏、集电结正偏，则三极管处于：（ A ）A.饱和状态 B.截止状态 C. 放大状态 D.反向放大 在一个放大电路中，测得某三极管各极对地的电位为U1=12V，U2=4V，U3=3.3V，则 可知该管为（ B ）。 A． PNP锗管 B．NPN硅管 C．NPN锗管 D．PNP硅管 集成运算放大电路中，中间级一般采用共射电路，其目的是 （ D ） A．抑制零点漂移 B．减小输出阻抗 C．阻抗匹配 D．提高电压放大倍数 两级放大电路，Au1= -20，Au2= 50，若输入电压Ui=5mv，则输出电压Uo为（ C） A．-200mv B．-250mV C．-5V D．5V 为更好的抑制零漂移，集成运放的输入级大多采用(