《模拟电子的技术基本》第4版)第1章节.pptVIP

教材: 《模拟电子技术基础》 主讲: 柯能伟 四、模电成绩如何算 作业：１０％ 期末考试：９０％ 参考课堂和答疑表现 作业：每周交 1 次，全交，有参考解答 对于杂质半导体，多子浓度约等于所掺杂质浓度，多子浓度受温度影响小； 少子（本征激发）浓度受温度影响大； 　载流子的两种运动： 扩散——载流子在浓度差作用下的运动 　载流子总是从高浓度向低浓度扩散 飘移——载流子在电场作用下的运动 　电子逆电场方向运动 　空穴顺电场方向运动 　多子扩散－＞形成空间电荷区－＞有利少子向对方漂移、阻挡多子向对方扩散， 　少子向对方的漂移－＞空间电荷区变窄－＞有利于多子向对方扩散； 　当多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡时，空间电荷区的宽度一定，形成PN结。 600 400 200 – 0.1 – 0.2 0 0.4 0.8 –50 –100 iD / mA uD / V 硅管的伏安特性 1.3.2 二极管的伏安特性 反向特性 死区 －IS 正向特性 －UBR Uon iD=f（uD） iD + uD – D UＤ 非线性特性 iD=Is(e / –1 ) uD UT ＵＢＲ反向击穿电压ＵＺ（稳压管） i-u?, q-u?, L? 反向击穿 正向和反向 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 开启电压： Uon Si 管：0.5V左右 Ge管：0.1V左右 正向导通电压UＤ Si 管：0.6V~0.8V　（０.７Ｖ） Ge管：0.2V~0.3V（０.３Ｖ） 二极管方程 iD=Is(e / –1 ) uD UT UT：温度的电压当量。常温下，即T=300K（270C）时，UT=26mV。 Is：反向饱和电流。 在正向段：当uDUT时，iD=Ise / uD UT 在反向段：当| uD | UT时，iD?–IS 一般:特性曲线上区分Uon和UＤ 计算时不区分Uon和UＤ Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 二极管的伏安特性受温度的影响。如当环境温度升高时，二极管的正向特性曲线左移，反向特性曲线下移。 注意 i(mA) u(V) 0 I反 UD1 UD2 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 1.3.4 二极管的等效电路 能够模拟二极管特性的电路称二极管等效电路，也称二极管的等效模型。 UR R V U I I? U? uD 0 I U iD Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 一、二极管的直流模型 1.理想二极管(导通时正向压降为零,截止时反向电流为零)的等效模型 0 iD uD iD + uD – 大信号作用下的模型 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2.二极管导通时正向压降为一常量UＤ（正向导通电压０.7V 或０.３V ），截止时反向电流为零的二极管的等效模型 iD uD 0 UＤ UＤ iD + uD – Question1 UD UON Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3.二极管导通且正向压降uD大于UＤ后，其电流iD与uD成线性关系（直线斜率为1/rD），截止时反向电流为零的等效模型 iD uD 0 UＤ 以上三个等效电路中1的误差最大，3的误差