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mos结构高频c—v特性测试

MOS结构高频C-V特性测试 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. MOS结构的电容是外加压的函数,MOS电容随外加电压变化的曲线称之为C-V曲线(简称C-V特性)。C-V曲线与半导体的导电类型及其掺杂浓度、SiO2-Si系统中的电荷密度有密切的关系。利用实际测量到的MOS结构的C-V曲线与理想的MOS结构的C-V特性曲线比较,可求得氧化硅层厚度dox、衬底掺杂浓度N、氧化层中可动电荷面密度QI和固定电荷面密度Qfc等参数。 本实验目的是通过测量MOS结构高频C-V特性及偏压温度处理(简称BT处理),确定dox、N、 QI和Qfc等参数。 引言 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 实验原理 半导体表面空间电荷区的厚度随偏压而改变,所以MOS电容是微分电容 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 实验原理 * 时,半导体表面能带平直,称为平带。 平带时所对应的偏压称为平带电压,记作 显然,对于理想MOS结构: 金属与半导体间功函数差为零 在绝缘层(SiO2)内没有电荷 SiO2与半导体界面处不存在界面态 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 实验原理 * 实际的MOS结构,由于SiO2 中总是存在电荷(通常是正电荷),且金属的功函数 Wm和半导体的功函数Ws 通常并不相等,所以 Vs一般不为零。若不考虑界面态的影响,有 Qox是 SiO2中电荷的等效面密度,Qox它包括可动电荷QI 和固定电荷Qfc 两部分。 对于铝栅p型硅MOS结构,Vms大于零, Qox通常也大于零(正电荷),所以 ,VFB<0如图3中的曲线1所示。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 正BT处理后,测量高频C-V特性,得到图3中的曲线3。由于这时可动电荷已基本上全部集中到 界面处,所以 Si-SiO2中包含了Qfc 和 QI的影响。 实验原理 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 实验样品 * 样品制备 p型硅单晶抛光片,电阻率6—10 硅片清洗:丙酮——酒精——去离子水 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 实验样品 热生长SiO2:湿氧 * Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 热蒸发上下铝电极 * 实验样品 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 实验仪器 * Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 实验内容 测量初始高频C-V特性曲线。 作正、负BT处理。 分别测出正、负BT处理后的高频C-V特性

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