第六章热电效应(学生版)重点.ppt

金属电阻率的电子散射的机制 金属的电阻率是由传导电子的散射引起的，散射的机制有二： (1)由于晶格上的金属离子的热振动造成对传导电子的散射； (2)由于杂质原子、填隙原子、位错和晶粒间界这样一类晶格的欠完备性对传导电子的散射，这是由于不完备处的静电势与完备晶体的静电势不同。 一般认为后者与温度无关，是造成某些金属0K下所谓剩余电阻率的原因。而前者是与温度有关的．随着温度的升高，晶格上金属离子的热振动加剧．传导电子与晶格碰撞频率或传导电子受到散射的几率加大，从而电阻率加大。 大多数绝缘材料和半导体具有负的电阻温度系数．也就是电阻率随温度的升高而减小，并且电阻率随温度的变化率比金属的更大。 绝缘体，半导体具有负的电阻温度系数可以这样定性地解释：对于二者，随着温度的升高，会有更多的电子从价带或杂质能级跃迁到导带，产生了更多能参与导电的载流子(电子和空穴)，增大了载流子浓度。 材料的电阻率不仅与载流子的碰撞或受散射的频率有关，还与载流子浓度有关，随着载流子浓度的增加，导电能力增强，电阻率便下降。 利用半导体这一灵敏的电阻温度效应制造出的热敏电阻是测量和自动控制中很有用的电子元件。热敏电阻的温度与电阻关系可由下式给出： （1-19） R和R0分别为在温度TK和T0K下的电阻．B为热敏电阻常