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共基极放大电路 + ui - T + uo - + – T T + – + ui - e c b + – + – + – Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. （1）共射——AU较大，Ri、Ro适中，常用作电压放大。 （2）共集——AU≈1，Ri大、Ro小，适用于信号跟随、信号隔离等。 （3）共基——AU较大，Ri小，频带宽，适用于放大高频信号。 每种接法的特点 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 5.频率响应 f A Am 0.7Am fL 下限截止频率 fH 上限截止频率 通频带： fbw=fH–fL 放大倍数随频率变化曲线——幅频特性曲线 3dB带宽 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 在低频段，三极管的极间电容可视为开路，耦合电容C1、C2不能忽略。该电路有 一个RC高通环节。有下限截止频率 在高频段，耦合电容C1、C2可以可视为短路，三极管的极间电容不能忽略。 该电路有 一个RC低通环节。 有上限截止频率 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 第5章 场效应管放大电路 BJT是一种电流控制元件(iB~ iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。 场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一种电压控制器件(uGS~ iD) ，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。 FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。 FET分类： 绝缘栅场效应管 结型场效应管 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 载流子 输入量 控制 输入电阻 噪声 静电影响 制造工艺 双极型三极管 多子扩散少子漂移 电流输入 电流控制电流源 几十到几千欧 较大 不受静电影响 不宜大规模集成 单极型场效应管 多子漂移 电压输入 电压控制电流源 几兆欧以上 较小 易受静电影响 适宜大规模和超大规模集成 双极型和场效应型三极管的比较 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. - - - - g s d 衬底 - - - - s g d 符号 G D S 注意类比于BJT Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 不同类型 FET 转移特性比较 结型 N 沟道 uGS /V iD /mA O 增强型 耗尽型 MOS 管 (耗尽型) IDSS 开启电压 VT 夹断电压VP IDO 是 uGS = 2UT 时的 iD 值 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. v v GS =0V v 0 v (mA) 1 v =-3V D -3 -1 3 10V DS 2 (mA) GS (V) 2 1 -4 4 i v =-1V D -2 GS GS GS 4 i (V