第5章节半导体器件基本.pptVIP

2. P 型半导体 5.1.3 PN结 1. PN结的形成 2. PN结的单向导电性 （2） PN 结加反向电压（反向偏置） 5.2 半导体二极管 5.2.1 二极管的结构和符号 5.2.2 二极管的伏安特性 二极管电路分析举例 5.2.3 特殊二极管 （2）主要参数 5.2.4 二极管的主要参数 5.3 晶体三极管 5.3.1 基本结构 2. 各电极电流关系及电流放大作用 5.3.3 三极管的共射特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 5.3.4 三极管的主要参数 1. 电流放大系数，? 3.三极管内部载流子的运动规律 B E C N N P VBB RB VCC IE IBE ICE ICBO 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 　进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 基区的非平衡少子在外电场的作用下越过基区到达集电区，形成漂移电流ICE。 集电结反偏，有少子形成的反向饱和电流ICBO。 RC Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. IC = ICE+