第5章节晶体管高频等效电路5—2.pptVIP

* 5.2 晶体管高频等效电路 射频集成电路主要工艺 双极（Bipolar）：纯双极、BiCMOS和SiGeHBT（异质结） 砷化钾 GaAs（一种化合半导体材料）——具有最高的工作 频率：50~100GHz；在超高速微电子学和光 电子学中应用广泛 双极晶体管较之CMOS晶体管的优点： 1、在相同的偏置电流下 跨导大 2、有较高的增益带宽积 由于跨导与偏置电流成正比，结果：在较小的功耗下可获得大增益；提高工作频率（低于10GHz） Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 三种双极工艺器件的截止频率： CMOS ——噪声低、线性好、与数字集成电路兼容 3GHz以上 工艺技术 截止频率 (GHZ) Bipolar 25 – 50 BiCMOS 10 – 20 SiGe HBT 40 - 80 Evaluation only. Created with As