第七章金属和半导体的接触重点.pptVIP

* * * * * * * * * * * 电子工程系EE 电子工程系EE 电子工程系EE 电子工程系EE 电子工程系EE 电子工程系EE 电子工程系EE 电子工程系EE 电子工程系EE 电子工程系EE 电子工程系EE 电子工程系EE 半导体物理第七章 金属和半导体的接触 1 金属半导体的接触及其能级图 * 金属半导体接触及其能级图 金属半导体接触整流理论 少数载流子的注入和欧姆接触 小结 一、功函数 金属的功函数Wm 金属的功函数表示一个起始能量等于费米能级的电子，由金属内部逸出到表面外的真空中所需要的最小能量。 E0 (EF)m Wm E0为真空中电子的能量，又称为真空能级。 * 半导体的功函数Ws E0与费米能级之差称为半导体的功函数。 χ表示从Ec到E0的能量间隔： 称χ为电子的亲和能，它表示要使半导体导带底的电子逸出体外所需要的最小能量。 Ec (EF)s Ev E0 χ Ws En 金属半导体接触及其能级图 金属半导体接触整流理论 少数载流子的注入和欧姆接触 小结 * 式中： N型半导体 P型半导体： 金属半导体接触及其能级图 金属半导体接触整流理论 少数载流子的注入和欧姆接触 小结 Ec EF Ev E0 χ WSP EP Eg * 二、金属与半导体的接触及接触电势差 1. 阻挡层接触 设想有一块金属和一块N型半导体，并假定金属的功函数大于半导体的功函数，即：