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* 第八章 大规模集成电路 第一节 半导体存储器 第二节 可编程逻辑器件简介 第八章 大规模集成电路 第一节 半导体存储器 一 随机存取存储器 （RAM） （一）静态RAM 定义：指能够在存储器中任意指定的位置随时写入和读出信息的存储器。 分类：静态SRAM 与动态DRAM 。 RAM的组成框图 1. 存储矩阵(256*4) 1 1 行地址线 列地址线 2. 地址译码器 行地址线 列地址线 地 址 3. 存储单元 4. 片选与读写控制 4096个存储单元排列成64×64列的矩阵 地址译码器 输入/输出控制电路 5.RAM的结构与工作原理 （二）动态RAM DRAM存储数据原理: 基于MOS管栅极电容的电荷存储效应。 写入数据 读出数据 刷新数据 （三）举例 MCM6264芯片采用20引脚塑料双列直插封装，单电源+5V供电。 SRAM芯片 MCM6264共有13根地址线（ A12～A0 ），8根数据线DQ7～DQ0） 故其容量为：8192字×8位（又称为8K ×8） MCM6264功能框图 字扩展 二 只读存储器 ROM 只读存储器，工作时其存储的内容固定不变。而且其内容只能读 出，不能随时写入，所以称为只读存储器。(Read-Only Memory) 1.ROM的分类 ROM 固定ROM 可编程ROM PROM EPROM E2PR